Новости Hardware

Samsung создала прототип рекордной 1-Гбит встраиваемой STT-MRAM

Кроме компании Intel на конференции IEDM 2019 своими достижениями в области производства магниторезистивной памяти поделилась компания Samsung. За год, прошедший со времени проведения IEDM 2018, Intel увеличила опытный массив 22-нм eMRAM с 8 до 16 Мбит, тогда как Samsung совершила головокружительный прыжок от 8-Мбит массива к 1-Гбит (128 Мбайт). При этом Samsung использует для выпуска памяти STT-MRAM 28-нм техпроцесс на пластинах FD-SOI (из полностью обеднённого кремния на изоляторе).

 Архитектура STT-MRAM Samsung

Архитектура STT-MRAM Samsung

Ещё одна разница между разработками этих компаний заключается в том, что Intel позиционирует STT-MRAM (магниторезистивную память на эффекте переноса спина электронов) в качестве кеш-памяти четвёртого уровня. Такой памяти не нужно быть полностью энергонезависимой. Достаточно того, что время регенерации увеличено до десятков или сотен микросекунд. Массивы STT-MRAM компании Samsung ориентированы на долговременное хранение данных без подачи электричества. Это замена встраиваемой NAND в микроконтроллерах для хранения данных и выполнения программ.

Опытный выпуск 1-Гбит массивов STT-MRAM Samsung характеризуется высоким уровнем выхода годных ― свыше 90 %. Основные параметры массивов не изменились: площадь ячейки составляет 0,0364 мкм2, что даже меньше, чем в случае ячейки Intel с применением 22-нм техпроцесса (0,0486 мкм2). Устойчивость к износу благодаря использованию ECC не меньше, чем 100 млн циклов стирания. Диаметр туннельного перехода составляет 38–45 нм. Структура ячейки предельно простая и хорошо масштабируется: один транзистор управляет одним туннельным переходом.

На сегодня встраиваемая память Samsung объёмом 1 Гбит представляется самым большим массивом подобного типа памяти, которая, при всём прочем, выпускается в виде прототипов. Можно ожидать, что в серийной продукции эта разработка появится в течение 2019 года. Контроллеры с 8-Мбит массивами STT-MRAM Samsung начала серийно выпускать с марта этого года.

 Характеристики прототипа STT-MRAM Samsung

Характеристики прототипа STT-MRAM Samsung

Отдельно заметим, что Samsung пока игнорирует тему производства дискретных чипов STT-MRAM. На основе подобной памяти можно выпускать энергонезависимые кеш-буферы для SSD и другие интересные продукты. Дискретные чипы STT-MRAM ёмкостью 1-Гбит выпускает только компания Everspin с использованием 28-нм техпроцесса на линиях GlobalFoundries. Если бы Samsung вышла на это поле, она могла бы всем утереть нос.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«МегаФон» продал долю в «Связном» неизвестному покупателю 10 мин.
NVIDIA и Apple окажутся в числе первых клиентов предприятия TSMC в Аризоне 15 мин.
Новая статья: Обзор AMD Ryzen 7950X и наш список претензий к Zen 4 7 ч.
Новая статья: Обзор смартфона HUAWEI Mate 50 Pro: новый король мобильной фотографии? 9 ч.
Volkswagen построит в Канаде или США аккумуляторный завод, чтобы покупатели ID.4 могли получать максимальные субсидии 13 ч.
Intel намерена выпустить чип с 1 трлн транзисторов после 2030 года, но для этого нужны новые материалы и упаковка 14 ч.
Apple хотела бы выпускать больше устройств в Индии и Вьетнаме, но отдалиться от Китая будет очень непросто 24 ч.
Специалисты iFixit разобрали Apple iPad (2022) — внутренняя компоновка устройства во многом напоминает iPad Air (2020) 03-12 20:11
Samsung повысит безопасность сканера отпечатков пальцев в 2,5 млрд раз к 2025 году 03-12 18:40
Xiaomi выпустит мини-ПК и неттоп с Windows 03-12 15:52