Новости Hardware

Samsung создала прототип 3-нм полупроводников GAAFET

Как сообщило корейское агентство Maeil Economy, Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса. При этом компания ставит цель к 2030 году стать производителем полупроводников номер один в мире. Сегодня Samsung является одним из лидеров 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

3-нм нормы производства основаны на технологии транзисторов с горизонтальным расположением каналов и круговым затвором (Gate-All-Around Field-Effect Transistor — GAAFET), которая отличается от индустриального стандарта FinFET с вертикальным расположением каналов. Таким образом, вместо «плавника» (fin) теперь используется своего рода «нанопровод». Если прежде затвор окружал канал только с трёх из четырёх сторон, что приводило к избыточным утечкам тока, то теперь используется круговой затвор, полностью опоясывающий канал.

В затворе используется три нанолиста, проходящие между стоком и истоком, в результате достигается значительное снижение сложности формирования рисунка, а размеры затвора достаточно крупные, чтобы гарантировать надёжность и производительность. Благодаря такому подходу улучшается контроль над каналом, что принципиально важно при уменьшении размера узла. Более эффективная конструкция транзистора обеспечивает огромный скачок производительности на ватт по сравнению с 5-нм процессом FinFET.

Оптимизация технологии по сравнению с 5-нм процессом FinFET обещает уменьшить размер кристаллов на 35 % с одновременным сокращением энергопотребления вдвое. А при сохранении уровня рабочего напряжения производительность может быть повышена на треть.

В 2017 году Samsung заявляла, что будет использовать 4-нм техпроцесс GAAFET уже в 2020 году. Но скептически настроенные отраслевые аналитики, включая вице-президента Gartner Самуэля Вана (Samuel Wang), тогда сочли эту задачу чрезвычайно амбициозной и полагали, что наладить массовое производство чипов GAAFET компании удастся не раньше 2022 года. Однако недавно господин Ван признал, что Samsung, похоже, удастся приступить к использованию техпроцесса GAAFET раньше, чем можно было ожидать.

А если у Samsung уже есть рабочий прототип 3-нм техпроцесса, это может свидетельствовать, что компания стала ближе к своей цели. В начале этого года Samsung объявила о намерении начать массовое производство по 3-нм техпроцессу GAAFET уже в 2021 году. Технология позволит преодолеть имеющиеся ограничения в производительности и масштабируемости FinFET.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Законодатели США дали Amazon «последний шанс», чтобы рассказать правду о своей антиконкурентной практике 53 мин.
Grasshopper не потеряла права на Shadows of the Damned и может заняться развитием серии в будущем 2 ч.
Количество читеров в Valorant снизилось до минимума за всё время существования игры 3 ч.
«Это не простой порт и не мод»: в Green Hell VR придётся «вручную» собирать ресурсы, перевязывать раны и сражаться 3 ч.
Вингсьют стал главной звездой нового геймплейного ролика перезапуска Saints Row 4 ч.
Продажи ролевого экшена Monster Hunter: World превысили 20 миллионов копий 4 ч.
Эксперты Sophos: мошенники выманивали у владельцев iPhone биткоины с помощью приложений для знакомств 5 ч.
Разработчики Elden Ring поделились подробностями закрытого тестирования 5 ч.
В России планируется внедрение автоматизированной системы борьбы с телефонными и интернет-мошенниками 5 ч.
Первый эпизод сериала «Аркейн» по мотивам League of Legends откроют для совместной трансляции на Twitch 6 ч.
Китайские власти считают, что дефицит чипов для авто начнёт отступать в этом квартале. Французы настроены более пессимистично 8 мин.
Прибыль Ericsson превзошла ожидания рынка благодаря спросу на 5G-оборудование 8 мин.
Представлены смарт-часы Realme Watch T1 со 110 спортивными режимами и ценой $110 52 мин.
Клавиатура Sharkoon Skiller SGK60 оснащена RGB-подсветкой и переключателями Kailh Box 55 мин.
Появилась новая угроза объёмам производства электроники — рабочие во Вьетнаме ушли в отпуска 2 ч.
NASA запустило создание космического гамма-телескопа, который будет искать антивещество и не только 3 ч.
Представлен смартфон Realme Q3s со 144-Гц дисплеем и чипом Snapdragon 778G 3 ч.
Dbrand представила новую версию боковых панелей для PlayStation 5 — из-за старых Sony угрожала компании судом 4 ч.
TeamGroup представила память T-Force Vulcan DDR5 с частотой до 5200 МГц 4 ч.
РЖД заплатит 300 млн руб. за разработку устройств квантовой связи дальнего действия 4 ч.