Новости Hardware

Western Digital завершила разработку 112-слойной 3D NAND, но производство задержится

Производители памяти 3D NAND продолжают рваться вверх, выпуская чипы с постоянно растущим числом слоёв. Это позволяет экономить место на кристалле, не жертвуя ёмкостью микросхем. Первыми рубеж в 100 слоёв покорили Samsung и SK Hynix, а сегодня их догнала Western Digital.

Компания Western Digital сообщила, что она совместно со своим партнёром японской компанией Kioxia (ранее Toshiba Memory) завершили разработку 112-слойной памяти 3D NAND, которая в определении партнёров относится к пятому поколению памяти BiCS (BiCS5). Также компании приступили к опытному производству микросхем нового поколения в виде 512-Гбит чипов с записью трёх бит в каждую ячейку или TLC.

К сожалению, массовое производство микросхем памяти BiCS5 компании начнут только во второй половине текущего года, что превращает Western Digital и Kioxia в догоняющих. Так, компания Samsung начала выпуск 100(+)-слойных микросхем 3D NAND объёмом 256 Гбит летом прошлого года, а компания SK Hynix начала поставки образцов 128-слойной памяти TLC объёмом 1 Тбит в ноябре. Компания Western Digital также собирается выпускать в поколении BiCS5 1,33-Тбит микросхемы, но это произойдёт очень нескоро.

Интересно, что ранее в этой тройке аутсайдером была SK Hynix. Теперь на её место опустились Western Digital и Kioxia. Поскольку Western Digital является ведомой в партнёрстве с японцами, можно предположить, что у Kioxia что-то пошло не так.

Есть ещё один интересный момент, на который пока нет ответа. Разработчик не уточняет, каким образом он создаёт 112 слоёв в чипах BiCS5. Компания Samsung, напомним, 100(+) слоёв в кристалле будущей 3D NAND создаёт в одном производственном цикле. Компания SK Hynix, исходя из того, что ей удалось вырваться вперёд, 128-слойную память может собирать из двух 64-слойных (или 72-слойных, если брать с запасом на брак) микросхем. Поэтому Western Digital либо создаёт 112-слоёв сразу, как Samsung, что объясняет её задержку, либо спаивает новый чип из двух 64-слойных кристаллов 3D NAND с потерей пограничных слоёв.

 Принцип сборки многослойной 3D NAND из двух кристаллов 3D NAND с меньшим числом слоёв

Принцип сборки многослойной 3D NAND из двух кристаллов 3D NAND с меньшим числом слоёв

В любом случае, Western Digital и Kioxia в лице 112-слойных микросхем начнут выпускать плотную 512-Гбит память на меньшем участке кремниевой пластины, что снизит себестоимость производства (с каждой пластины будет выходить на 40 % больше ёмкости). Дополнительно компания обещает рост скорости ввода/вывода на 50 %. Память с записью четырёх бит в ячейку также выйдет в 112-слойном исполнении, но какой будет её ёмкость, компания пока не сообщает.

В заключение добавим, что компании Intel и Micron преодолеют рубеж в 100 слоёв 3D NAND тоже в этом году. При этом каждая из них обещает 144-слойные микросхемы, что наводит на мысль о спайках кристаллов, а не о непрерывном цикле производства.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Скайрим, деньги, два зелья: мать реддитора начала геймерский путь с TES V: Skyrim и основала там доходный бизнес 2 ч.
Режиссёру God of War Ragnarok пришлось сражаться за одноглазую белку 2 ч.
После перехода к Илону Маску Twitter потерял крупных рекламодателей и сотни миллионов долларов дохода 2 ч.
Internet Archive запустил браузерный эмулятор карманных компьютеров Palm из конца 90-х 4 ч.
Доверие бизнеса к российскому софту за два года выросло на 290 %, а к open source — вдвое 4 ч.
Binance выделила $1 миллиард на поддержку криптоиндустрии 14 ч.
Новая статья: Mario + Rabbids Sparks of Hope — ушастые спасают галактику. Рецензия 15 ч.
Состоялся релиз новой версии гиперконвергентной системы «Кибер Инфраструктура» 5.0 17 ч.
Раскрыта дата выхода обзоров хоррора The Callisto Protocol — издатель испугался журналистов? 18 ч.
Месячная аудитория отечественного магазина приложений RuStore превысила 7 млн человек 19 ч.
В Японии начнут добывать электричество из снега 4 мин.
В Японии построят самый большой в мире плавучий ветрогенератор — размах лопастей составит 200 метров 37 мин.
Дефицит чипов заставил Jaguar Land Rover сократить производство некоторых моделей 46 мин.
Вышел индустриальный ПК SolidRun Bedrock V3000 Basic с двумя портами 10GbE SFP+ и поддержкой 5G 2 ч.
В разгонном блоке новой европейской ракеты-носителя Vega C нашли дефект — его разберут, а первый коммерческий запуск отложат 2 ч.
AirPods Pro 2 всё же не поддерживают lossless-кодеки, но это не помешало Apple улучшить качество звука 2 ч.
Илон Маск пообещал выпустить собственный смартфон, если Apple и Google удалят Twitter из магазинов приложений 5 ч.
Orion вышел на ретроградную орбиту Луны и установил рекорд по удалению от Земли для подобных космических кораблей 5 ч.
Xiaomi намерена продавать по 10 млн электромобилей в год 7 ч.
Эксперты Google подтвердили защищённость подводных интернет-кабелей от сильных солнечных бурь 14 ч.