Samsung начнёт выпускать самую быструю память HBM2E в текущем полугодии

Продукты с памятью типа HBM2E ещё не представлены, но SK Hynix и Samsung уже вовсю соревнуются в скоростях. Первая в том году пообещала выпустить память со скоростью передачи информации 460 Гбайт/с, вторая обещает начать выпуск памяти со скоростью передачи информации 538 Гбайт/с. Одновременно обновился стандарт JEDEC.

Источник изображения: Samsung Electronics

Самое интересное, что в терминологии JEDEC обозначение «HBM2E» так и не прижилось, хотя Samsung в своём пресс-релизе эту память относит к третьему поколению. Формально, стандарт признаёт только существование памяти типа HBM2, которая с момента утверждения этого обозначения серьёзно эволюционировала. Например, в одном стеке могут располагаться в двенадцать ярусов микросхемы памяти объёмом по 2 Гбайт, в совокупности это позволяет разместить в одном стеке до 24 Гбайт памяти. Если вокруг специализированного процессора разместить четыре стека, совокупный объём памяти достигнет 96 Гбайт. Высоту этого стека обновлённый стандарт никак не регламентирует.

В текущем полугодии Samsung обещает наладить серийный выпуск микросхем памяти HBM2E с использованием техпроцесса 10-нм класса. Условное обозначение этой памяти — Flashbolt, это уже третье поколение HBM в производственной программе корейской компании. На начальном этапе будут производиться микросхемы, сформированные из восьми ярусов, совокупным объёмом 16 Гбайт. Штатная скорость передачи данных в пересчёте на один контакт соответствует стандартной — 3,2 Гбит/с, что в итоге даёт 410 Гбайт/с при использовании 1024-разрядной шины.

Желая потешить самолюбие, Samsung отдельно упоминает в пресс-релизе, что её память типа HBM2E способна передавать информацию со скоростью 538 Гбайт/с (4,2 Гбит/с на контакт). Это выше тех 460 Гбайт/с, которые в прошлом году обещала осилить SK Hynix. В любом случае, спецификациями подобные режимы не предусмотрены, а это значит, что эксплуатация на таких скоростях не гарантируется в ста процентах случаев.