Новости Hardware

В США разработана новая технология производства нанометровых полупроводников

Дальнейшее развитие микроэлектроники невозможно представить без совершенствования технологий производства полупроводников. Чтобы расширить границы и научиться выпускать всё более мелкие элементы на кристаллах нужны новые технологии и новые инструменты. Одной из таких технологий может стать прорывная разработка американских учёных.

Группа исследователей из Аргоннской национальной лаборатории Министерства энергетики США разработала новую методику создания и травления тончайших плёнок на поверхности кристаллов. Потенциально это может привести к производству чипов с меньшими масштабами технологических норм, чем сегодня и в ближайшей перспективе. Публикация об исследовании размещена в журнале Chemistry of Materials.

Предложенная методика напоминает традиционный процесс атомно-слоевого осаждения и травления, только вместо неорганических плёнок новая технология создаёт и работает с органическими плёнками. Собственно, по аналогии новая технология названа молекулярно-слоевым осаждением (MLD, molecular layer deposition) и молекулярно-слоевым травлением (MLE, molecular layer etching).

Как и в случае атомно-слоевого травления метод MLE использует газовую обработку в камере поверхности кристалла с плёнками из материала на органической основе. Кристалл циклически обрабатывается двумя разными газами попеременно до тех пор, пока плёнка не истончится до заданной толщины.

Химические процессы при этом подчиняются законам саморегуляции. Это означает, что слой за слоем снимаются равномерно и контролируемо. Если использовать фотошаблоны, на кристалле можно воспроизвести топологию будущего чипа и вытравить рисунок с высочайшей точностью.

В эксперименте учёные использовали для молекулярного травления газ с содержанием солей лития и газ на основе триметилалюминия. В процессе травления соединение лития реагировало с поверхностью пленки алукона (alucone) таким образом, что литий осаждался на поверхности и разрушал химическую связь в пленке. Потом подавался триметилалюминий, который удалял слой плёнки с литием, и так поочерёдно до тех пор, пока плёнка не уменьшалась до нужной толщины. Хорошая управляемость процессом, уверены учёные, может позволить предложенной технологии подтолкнуть развитие полупроводникового производства.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Facebook: Quest Pro не появится в 2021 году — Quest 2 останется надолго 3 ч.
Производители уже начали рассылать видеокарты GeForce RTX 3080 Ti дистрибьюторам 3 ч.
Национальные лаборатории в США подталкивают бизнес к созданию малых ядерных реакторов к 2025 году 8 ч.
По словам Илона Маска, в этом году интернет-сервис SpaceX Starlink станет «полностью мобильным» 8 ч.
В Китае начата государственная сертификация беспилотных аэротакси EHang EH216 9 ч.
Пик выработки электричества из возобновляемых источников в Европе в 2020 году пришёлся на февраль, а минимум — на сентябрь 9 ч.
Китай собирается выйти за границы Солнечной системы к 2049 году 10 ч.
Для борьбы с глобальным потеплением предложена краска беспрецедентной белизны — всё отразит в космос 11 ч.
«Союз МС-17» с экипажем из трёх человек благополучно возвращён на Землю 12 ч.
Следующий мировой экономический кризис обострит проблему перепроизводства полупроводниковых компонентов 13 ч.