Сегодня 25 сентября 2023
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
Новости Hardware

Samsung приступила к производству наибыстрейших eUFS-накопителей для смартфонов

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства самых быстрых в отрасли микросхем флеш-памяти с интерфейсом eUFS 3.1. Эта память нацелена как на флагманские смартфоны, так и на тонкие ноутбуки. Новинка обеспечит в три раза большую скорость записи, что станет находкой для любителей фотографий с большим разрешением и ценителей видео с разрешением 8K.

Скорость записи на чипы Samsung с шиной eUFS 3.1 ёмкостью 512 Гбайт пробивает психологический барьер в 1 Гбайт/с и достигает 1,2 Гбайт/с в режиме устоявшейся записи. Аналогичная продукция компаний WDC и Toshiba способна показать скорость записи до 800 Мбайт/с. Микросхемы памяти с интерфейсом eUFS 3.0 показывали ещё меньшую скорость записи ― до 400 Мбайт/с. Тем самым Samsung утроила этот параметр, что выглядит весьма впечатляюще.

С подобной скоростью фильм объёмом 100 Гбайт можно переписать за 1,5 минуты, тогда как в случае накопителя eUFS 3.0 запись длилась бы 4 минуты. Пакет больших фотографий на смартфоне или видео с разрешением 8K на ноутбуке ― всем этим станет легче оперировать, когда новая память Samsung проникнет в устройства.

Устоявшаяся скорость чтения с новых микросхем Samsung осталась на уровне микросхем предыдущего поколения и достигает 2,1 Гбайт/с. Теоретический предел скорости обмена по интерфейсу UFS 3.1 достигает 2,9 Гбайт/с, так что производителям ещё есть над чем работать.

Следует сказать, что спецификации eUFS 3.1 по сравнению со спецификациями eUFS 3.0 не предполагают рост скорости обмена до нового значения, хотя оставляют лазейку для увеличения скорости записи. Вероятно, этим и воспользовалась компания Samsung. В частности, спецификации eUFS 3.1 предусматривают наличие буфера для записи. Очевидно, это ускорит запись до какого-то определённого объёма информации, а после переполнения буфера скорость может снизиться, но нам это ещё предстоит узнать. Пока же чипы Samsung eUFS 3.1 объёмом 512 Гбайт, 256 Гбайт и 128 Гбайт остаются самыми быстрыми в индустрии.

Добавим, скорость записи случайных блоков в терминах IOPS выросла незначительно ― всего на 3 % с 68 000 до 70 000. Скорость чтения случайных блоков в IOPS увеличилась внушительно ― на 60 % с 63 000 до 100 000. В новых смартфонах эта память появится не раньше, чем во второй половине этого года.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Полупроводниковую фабрику Micron стоимостью $2,75 млрд в Индии построит Tata 16 мин.
Intel выпустит процессоры Meteor Lake для настольных ПК в следующем году 21 мин.
Инстансы Oracle Ampere A2 на процессорах AmpereOne станут доступны в этом году 37 мин.
BYD показала плавающий внедорожник YangWang U8 — он гребёт колёсами и на воде разгоняется до 3 км/ч 2 ч.
Intel представила Raptor Lake Refresh на конференции Innovation 2023, но этого почти никто не заметил 2 ч.
Новая статья: Как DDR5-память влияет на производительность Ryzen 7 7800X3D: отвечаем на главные вопросы 13 ч.
Microsoft ищет топ-менеджера по внедрению малых модульных реакторов для питания ЦОД 14 ч.
Swissbit представила индустриальные microSD-карты iShield Archive с аппаратным AES-шифрованием и контролем доступа 16 ч.
Индия под давлением США отложила ограничения на импорт ноутбуков, ПК и планшетов 23 ч.
Китай под санкциями удвоил уровень локализации в сфере оборудования для производства чипов 24 ч.