Новости Hardware

Freescale освоила технологию GaAs MOSFET

Freescale заявила о том, что ей удалось создать первое коммерческое устройство, объединяющее полупроводники на основе арсенида галлия (GaAs) и традиционную технологию изготовления канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET). Этот прорыв позволит разрабатывать новый класс усилителей мощности и полупроводниковые элементы, характеризующиеся низким энергопотреблением и высокой производительностью, что открывает возможность для создания всевозможных конечных устройств с более высоким быстродействием и при этом с уменьшенной потребляемой мощностью и меньшими размерами. Увеличение быстродействия, как предполагается, сможет в корне изменить аналогово-цифровые преобразования, приближая время на их выполнение к нулю. Полупроводники на основе арсенида галлия отличаются меньшей шумностью при работе, а также превосходят традиционные кремниевые соединения по быстродействию примерно в 20 раз. При всей перспективности использования GaAs-полупроводников до сих пор не существовало метода объединения кремниевых и арсенид-галлиевых компонентов, позволяющего создавать жизнеспособные GaAs MOSFET устройства. Freescale удалось изыскать GaAs-совместимые материалы и избавиться от дефектов структуры, возникавших в прошлом при попытке объединения с кремниевыми компонентами. По мнению Freescale, первое поколение устройств, построенных по технологии GaAs MOSFET, будет носить ярко специализированный характер и играть роль дополнения к традиционным технологиям. Компания намерена расширить сотрудничество с партнерами для применения элементов GaAs MOSFET в инфраструктурных решениях, оптоэлектронике и беспроводных устройствах, требующих экстремально высокой скорости выполнения операций. Тематические материалы в статьях: - Экскурсия на фабрику MSI: наблюдаем за рождением ноутбуков;
- Шеньжень: фоторепортаж из мировой кузницы "железа".

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥