Новости Hardware

Новая технология изготовления контактов вскрыла резервы для «разгона» 7-нм чипов

По мере снижения масштаба техпроцесса производства чипов уменьшаются не только размеры транзисторов, но также сопутствующая «инфраструктура», например, диаметр отверстий для создания вертикальных контактов. Такие контакты изготавливаются из вольфрама в процессе металлизации, и их сопротивление растёт по мере уменьшения технологических норм, что снижает производительность и энергоэффективность чипов. Но это удалось обойти.

Установка Applied Materials для металлизации скозных соединенний в вакууме

Установка Applied Materials для металлизации сквозных соединений в условиях вакуума

Резерв вскрыла компания Applied Materials. Дело в том, что современные техпроцессы предполагают осаждение вольфрама из паровой среды на специально подготовленные для этого отверстия металлизации. Перед осаждением (заполнением отверстий вольфрамом) на поверхность чипа и на стенки отверстий в слое диэлектрика наносится слой нитрида титана. Это вещество улучшает «прилипание» вольфрама к стенкам отверстий для вертикальных контактов, защищает кристалл от загрязнения фтором, который используется в техпроцессе осаждения и, наконец, выравнивает стенки отверстий (см. видео процесса ниже).

Беда в том, что по мере снижения масштабов техпроцессов толщина слоя нитрида титана не уменьшалась. Так, в рамках 7-нм техпроцесса с диаметром отверстий для сквозной (вертикальной) металлизации 20 нм на вольфрам в контакте остаётся всего 25  % от объёма отверстия. В Applied Materials предложили техпроцесс и установку для создания вертикальных контактов в полном объёме из вольфрама без применения какого-либо предварительного покрытия отверстий.

Новый техпроцесс Applied Materials и машина для металлизации соединений заполняют вольфрамом отверстия в диэлектрике снизу, а не сверху, как раньше (видео ниже). Компания назвала это «выборочным заполнением зазоров». Поскольку для этого используются новые материалы и технологии, защищать кристалл от фтора больше не нужно, как и улучшать прилипание вольфрама к стенкам вертикальных отверстий.

По словам Applied Materials, предложенная технология на 40 % снижает сопротивление вертикальных соединений, а ведь в каждой 300-мм кремниевой пластине с чипами проложено до 100 километров таких соединений. Выигрыш от использования новой технологии обещает стать очень и очень внушительным. Когда? Новые установки компания начала поставлять в июле, но крупные производители уже якобы используют это оборудование Applied Materials в крупносерийном производстве.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Обзор камеры Canon EOS-1D X Mark III: прирученный монстр 3 ч.
Смарт-часы vivo Watch поступят в продажу в России в начале 2021 года 3 ч.
Новая статья: Обзор Honor Pad V6: первый планшет Honor в России — и сразу с Wi-Fi 6 4 ч.
Amazon обновила ТВ-брелок Fire TV Stick и представила его более доступную версию за $30 5 ч.
Киберпанк уже рядом: Amazon представила автономную летающую камеру видеонаблюдения для дома 5 ч.
Seagate анонсировала открытую СХД CORTX и референсную платформу Lyve Drive Rack с 20-Тбайт HAMR-дисками 6 ч.
Amazon представила обновлённые умные колонки Echo и Echo Dot. Старшая модель оснащена продвинутым ИИ-процессором 7 ч.
Supermicro представила компактный GPU-сервер для суровых условий работы 7 ч.
Kioxia Ethernet SSD: мечта архитектора систем хранения данных 8 ч.
Сегодня Blue Origin испытает компоненты посадочной системы корабля, который доставит людей на Луну в 2024 году [Обновлено] 9 ч.