Новости Hardware

Массовое производство модулей DDR5 SDRAM запущено: в Сети появились фото серийных модулей

Производство DDR5 набирает обороты: несколько производителей уже завершили свой дизайн для массового выпуска оперативной памяти следующего поколения. Этот стандарт поддерживается грядущими платформами Intel Alder Lake и AMD Raphael, запуск которых ожидается в конце года.

Китайская компания Jiahe Jinwei, суббренд Longsys, объявила о сходе со своей сборочной линии на заводе в Шэньчжэне первой партии модулей памяти DDR5. Модули уже производятся серийно и поступят в продажу вместе с платформами следующего поколения от Intel и AMD. Как ожидается, Intel будет играть главную скрипку в продвижении DDR5 с помощью своих материнских плат на базе чипсета Z690 для Intel Core 12-го поколения.

Запечатлённая на фотографиях пара модулей с зелёной печатной платой выпущена Jiahe Jinwei, тогда как на другом снимке, опубликованном каналом Uniko's Hardware, приведены планки памяти от другого производителя, использующие чёрную PCB.

Наиболее непривычная и заметная особенность обоих модулей U-DIMM, помимо компоновки чипов DRAM, — встроенная схема управления питанием, которая призвана получать напряжение 5 В от материнской платы и более эффективно передавать его на чипы DRAM, чем в случае DDR4. Благодаря размещению компонентов преобразования напряжения на самом модуле, будут снижены потери тока и помехи, что даст больше возможностей для разгона.

Партия модулей памяти DDR5 от Jiahe Jinwei отличается частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В, но и более высокими задержками: тайминги установлены на CL40-40-40. Каждая планка отличается ёмкостью 16 Гбайт, но проектируются уже DDR5 DIMM объёмом 32 Гбайт. Память имеет встроенный код коррекции ошибок (ECC) и отличается от DDR4 более низким энергопотреблением и повышенной стабильностью. Также один модуль сможет работать в двухканальном режиме для повышения производительности.

В будущем появятся и более быстрые модули — производители сообщают о теоретической возможности достижения частоты более 10 ГГц в экстремальном разгоне. Учитывая, что DDR4 с разгоном достигает скорости более 7 ГГц, новая вершина не кажется непреодолимым препятствием для чипов памяти следующего поколения, выпускаемых на фабриках SK Hynix и Micron.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥