Новости Hardware

Массовое производство модулей DDR5 SDRAM запущено: в Сети появились фото серийных модулей

Производство DDR5 набирает обороты: несколько производителей уже завершили свой дизайн для массового выпуска оперативной памяти следующего поколения. Этот стандарт поддерживается грядущими платформами Intel Alder Lake и AMD Raphael, запуск которых ожидается в конце года.

Китайская компания Jiahe Jinwei, суббренд Longsys, объявила о сходе со своей сборочной линии на заводе в Шэньчжэне первой партии модулей памяти DDR5. Модули уже производятся серийно и поступят в продажу вместе с платформами следующего поколения от Intel и AMD. Как ожидается, Intel будет играть главную скрипку в продвижении DDR5 с помощью своих материнских плат на базе чипсета Z690 для Intel Core 12-го поколения.

Запечатлённая на фотографиях пара модулей с зелёной печатной платой выпущена Jiahe Jinwei, тогда как на другом снимке, опубликованном каналом Uniko's Hardware, приведены планки памяти от другого производителя, использующие чёрную PCB.

Наиболее непривычная и заметная особенность обоих модулей U-DIMM, помимо компоновки чипов DRAM, — встроенная схема управления питанием, которая призвана получать напряжение 5 В от материнской платы и более эффективно передавать его на чипы DRAM, чем в случае DDR4. Благодаря размещению компонентов преобразования напряжения на самом модуле, будут снижены потери тока и помехи, что даст больше возможностей для разгона.

Партия модулей памяти DDR5 от Jiahe Jinwei отличается частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В, но и более высокими задержками: тайминги установлены на CL40-40-40. Каждая планка отличается ёмкостью 16 Гбайт, но проектируются уже DDR5 DIMM объёмом 32 Гбайт. Память имеет встроенный код коррекции ошибок (ECC) и отличается от DDR4 более низким энергопотреблением и повышенной стабильностью. Также один модуль сможет работать в двухканальном режиме для повышения производительности.

В будущем появятся и более быстрые модули — производители сообщают о теоретической возможности достижения частоты более 10 ГГц в экстремальном разгоне. Учитывая, что DDR4 с разгоном достигает скорости более 7 ГГц, новая вершина не кажется непреодолимым препятствием для чипов памяти следующего поколения, выпускаемых на фабриках SK Hynix и Micron.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Tesla в прошлом квартале отгрузила рекордные 343 тысячи электромобилей 2 ч.
Новая статья: Компьютер месяца – октябрь 2022 года 7 ч.
К Земле приближается новый астероид диаметром полкилометра 17 ч.
Первые материнские платы на AMD B650 показались в американском магазине — самая дешёвая стоит $200 20 ч.
Tesla увеличила производительность предприятия в Берлине до 2000 кроссоверов Model Y в неделю 24 ч.
Firefly Aerospace провела первый успешный орбитальный пуск ракеты Alpha 02-10 00:13
Соседние карликовые галактики укрылись от Млечного Пути в коконе горячего газа, выяснили учёные 01-10 18:36
Tesla резко нарастит объёмы производства Model Y и Model 3 в последнем квартале — до почти полумиллиона машин 01-10 15:25
Всего за сутки Alphabet, Amazon, Apple, Meta, Microsoft и Tesla потеряли $258 млрд рыночной стоимости 01-10 15:15
Разработчика аэротакси Joby Aviation обвинили в завышенных обещаниях — компания не сможет выпустить достаточно машин 01-10 14:10