Новости Hardware

Массовое производство модулей DDR5 SDRAM запущено: в Сети появились фото серийных модулей

Производство DDR5 набирает обороты: несколько производителей уже завершили свой дизайн для массового выпуска оперативной памяти следующего поколения. Этот стандарт поддерживается грядущими платформами Intel Alder Lake и AMD Raphael, запуск которых ожидается в конце года.

Китайская компания Jiahe Jinwei, суббренд Longsys, объявила о сходе со своей сборочной линии на заводе в Шэньчжэне первой партии модулей памяти DDR5. Модули уже производятся серийно и поступят в продажу вместе с платформами следующего поколения от Intel и AMD. Как ожидается, Intel будет играть главную скрипку в продвижении DDR5 с помощью своих материнских плат на базе чипсета Z690 для Intel Core 12-го поколения.

Запечатлённая на фотографиях пара модулей с зелёной печатной платой выпущена Jiahe Jinwei, тогда как на другом снимке, опубликованном каналом Uniko's Hardware, приведены планки памяти от другого производителя, использующие чёрную PCB.

Наиболее непривычная и заметная особенность обоих модулей U-DIMM, помимо компоновки чипов DRAM, — встроенная схема управления питанием, которая призвана получать напряжение 5 В от материнской платы и более эффективно передавать его на чипы DRAM, чем в случае DDR4. Благодаря размещению компонентов преобразования напряжения на самом модуле, будут снижены потери тока и помехи, что даст больше возможностей для разгона.

Партия модулей памяти DDR5 от Jiahe Jinwei отличается частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В, но и более высокими задержками: тайминги установлены на CL40-40-40. Каждая планка отличается ёмкостью 16 Гбайт, но проектируются уже DDR5 DIMM объёмом 32 Гбайт. Память имеет встроенный код коррекции ошибок (ECC) и отличается от DDR4 более низким энергопотреблением и повышенной стабильностью. Также один модуль сможет работать в двухканальном режиме для повышения производительности.

В будущем появятся и более быстрые модули — производители сообщают о теоретической возможности достижения частоты более 10 ГГц в экстремальном разгоне. Учитывая, что DDR4 с разгоном достигает скорости более 7 ГГц, новая вершина не кажется непреодолимым препятствием для чипов памяти следующего поколения, выпускаемых на фабриках SK Hynix и Micron.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Starlink получил разрешения на работу в Нигерии и Мозамбике 12 ч.
В Китае представили пятиместный электромобиль за $5900 с дальностью пробега до 300 км 16 ч.
Китайский завод BMW Group освоит замкнутый цикл переработки аккумуляторов электромобилей 17 ч.
Вьетнамское предприятие Intel научилось самостоятельно готовить процессорные подложки 18 ч.
По мере снятия пандемийных ограничений в Китае отмечается падение спроса на смартфоны 19 ч.
NASA наметило вторую репетицию запуска лунной ракеты Artemis I на 19 июня 19 ч.
В игровом сегменте выручка NVIDIA зависела от российского рынка на 4 % 24 ч.
Тираж смартфонов Apple серии iPhone 14 уступит объёмам выпуска предшественников в прошлом году 24 ч.
Samsung резко урезала план производства смартфонов на 2022 год — вместо 310 млн выпустят только 280 млн 27-05 23:34
Патентный тролль подал на Meta в суд из-за VR-гарнитуры Meta Quest 2 27-05 23:16