Новости Hardware

TSMC разработала 1-нм техпроцесс, но это не точно

Исследователи из компании TSMC с коллегами из США и Национального университета Тайваня представили работу о транзисторах из так называемых 2D-материалов, которые могут прийти на смену кремниевой электронике. В совместном исследовании специалисты нашли такое сочетание материалов, которое делает возможным производство транзисторов из материалов толщиной в один или несколько атомов. Открытие вполне может лечь в основу 1-нм техпроцесса TSMC.

 Источник изображения: MIT

Источник изображения: MIT

Проблема с 2D-материалами в том, что место контакта между полупроводником и металлом обладает высоким сопротивлением и ухудшает токовые характеристики транзисторов. Исследователи из Массачусетского технологического института, Калифорнийского университета в Беркли, компании TSMC, Национального университета Тайваня и ряда других организаций смогли подобрать правильное сочетание материалов, которое обеспечило все нужные характеристики «двумерных» транзисторов.

Всё оказалось просто. Снижение сопротивления на границе перехода между двумерным полупроводником в лице сульфида молибдена (MoS2) и металлическим контактом для соединения с другими цепями электронной схемы произошло при контакте материала с полуметаллом висмутом (Bi). На границе раздела материалов, как сообщают учёные, отсутствовал энергетический барьер (барьер Шотки), который мог бы препятствовать свободному прохождению электронов — течению электрического тока.

Из данного исследования был сделан вывод, что электрический контакт между MoS2 и Bi — это вполне рабочее решение для создания транзистора n-типа. Решения для создания аналогичного транзистора p-типа у исследователей пока нет, так что полноценной электронной схемы из 2D-материалов пока не создать. Но на этом поиск перспективных сочетаний материалов не прекратится, так что всё ещё впереди.

Основной научный поиск был проведён учёными из США. Компания TSMC смогла создать образцы контактов на своём оборудовании методом осаждения из газовой фазы в вакуумной камере. Создать необходимую основу для травления на кристалле помогли учёные из Национального университета Тайваня, которые смогли сфокусировать ионный луч до нанометрового масштаба. Исследование финансируется Министерством обороны США. Материал под названием Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors был опубликован в издании Nature.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Обзор AMD Ryzen 7950X и наш список претензий к Zen 4 3 ч.
Новая статья: Обзор смартфона HUAWEI Mate 50 Pro: новый король мобильной фотографии? 5 ч.
Volkswagen построит в Канаде или США аккумуляторный завод, чтобы покупатели ID.4 могли получать максимальные субсидии 8 ч.
Apple хотела бы выпускать больше устройств в Индии и Вьетнаме, но отдалиться от Китая будет очень непросто 20 ч.
Специалисты iFixit разобрали Apple iPad (2022) — внутренняя компоновка устройства во многом напоминает iPad Air (2020) 03-12 20:11
Samsung повысит безопасность сканера отпечатков пальцев в 2,5 млрд раз к 2025 году 03-12 18:40
Xiaomi выпустит мини-ПК и неттоп с Windows 03-12 15:52
BMW Group начала мелкосерийное производство водородной версии внедорожника iX5 03-12 15:38
В преддверии анонса смартфонов Xiaomi 13 и Xiaomi 13 Pro появилось больше данных об их особенностях 03-12 15:28
В США разработана технология 3D-печати металлами с разрешением 40 мкм 03-12 14:06