Новости Hardware

В рамках 3-нм техпроцесса Intel может заметно опередить конкурентов по плотности размещения транзисторов

Единая классификация литографических норм в полупроводниковой отрасли отсутствует, а это позволяет участникам рынка произвольно относить тот или иной техпроцесс к определённому классу. Intel, например, заявляет, что её 10-нм техпроцесс по своим геометрическим характеристикам эквивалентен 7-нм техпроцессу TSMC. В случае с 3-нм технологией превосходство Intel по плотности размещения транзисторов по сравнению с Samsung окажется троекратным.

Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

К подобному выводу приходит в одной из своих аналитических статей президент DigiTimes Asia Колли Хуанг (Colley Hwang), рассуждающий о конкурентных преимуществах компании TSMC. В рамках 10-нм технологии, как поясняет автор, TSMC и Samsung обеспечивали сопоставимую плотность размещения транзисторов, в районе 52‒53 млн штук на квадратный миллиметр площади кристалла. Intel при этом была заметно впереди, обеспечивая плотность транзисторов до 106 млн штук на квадратный миллиметр. Фактически, показатели Intel для 10-нм техпроцесса превосходили характеристики 7-нм технологии TSMC (97 млн) и Samsung (95 млн). Ожидается, что в рамках 7-нм технологии Intel достигнет плотности размещения транзисторов в 180 млн штук на квадратный миллиметр.

Источник изображения: DigiTimes

Источник изображения: DigiTimes

Следующим шагом станет 5-нм технология, где Intel рассчитывает увеличить плотность до 300 млн транзисторов на квадратный миллиметр, а TSMC уже ушла в отрыв от Samsung, предложив плотность 173 млн транзисторов на квадратный миллиметр против 127 млн штук у корейского конкурента. Техпроцесс 3 нм примечателен тем, что Samsung при его освоении рассчитывает добиться плотности размещения транзисторов в 170 млн штук на квадратный миллиметр, а Intel превысит этот барьер ещё в рамках 7-нм технологии. По сути, сопоставимыми геометрическими характеристиками будут обладать 7-нм техпроцесс Intel, 5-нм техпроцесс TSMC и 3-нм техпроцесс Samsung.

Возвращаясь к характеристикам 3-нм техпроцесса, следует отметить, что у Intel он обеспечит плотность размещения транзисторов до 520 млн штук на квадратный миллиметр — такого уровня TSMC не достигнет даже в рамках 2-нм технологии, если верить прогнозам президента DigiTimes Asia. Проблема заключается в том, что цифровое обозначение техпроцесса в современных условиях не даёт внятного представления о его характеристиках. В компании Intel эту проблему уже осознали, а потому процессорный гигант может в обозримом будущем предложить обновлённую систему обозначений своих литографических норм. Нельзя исключать, что о проведении своеобразной «литографической деноминации» представители Intel расскажут в рамках профильного мероприятия, которое намечено на 26 июля.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
В WhatsApp добавили возможность жаловаться на отдельные сообщения в чатах 2 ч.
Послезавтра в цифровом магазине Nintendo начнётся распродажа хитов для Switch со скидками до 80 % 2 ч.
Видео: звезда «Шан-Чи» и острая необходимость согрешить в трейлере к скорому запуску Diablo II: Resurrected 3 ч.
Подразделение «Ростелекома» предотвратило вовлечение более 45 тысяч устройств в ботнет Mēris 3 ч.
На ПК и консолях прошлого поколения вышло расширенное издание зомби-шутера World War Z 3 ч.
Розничный релиз Kena: Bridge of Spirits наметили на ноябрь 4 ч.
ПК-версия NEO: The World Ends With You поступит в продажу уже на следующей неделе 4 ч.
Facebook потратила более $13 млрд для обеспечения безопасности на платформе за последние 5 лет 4 ч.
Американский регулятор начал расследование в отношении Activision Blizzard после жалоб сотрудников 5 ч.
AMD выпустила драйвер Radeon Adrenalin 2020 21.9.2 c поддержкой World War Z: Aftermath, Diablo II: Resurrected и New World 5 ч.
Facebook представила 10-дюймовый портативный смарт-дисплей Portal Go и обновлённый 14-дюймовый Portal+ 2 ч.
Модуль OpenVPN DCO для ядра Linux повысит производительность VPN 2 ч.
Amazon представила обновлённый ридер Kindle Paperwhite с увеличенным дисплеем и быстрой зарядкой по USB Type-C 3 ч.
EVGA оценила материнскую плату X570 Dark для экстремального разгона чипов AMD Ryzen в $690 3 ч.
Realme раскрыла ключевые характеристики смартфона Narzo 50A — чип MediaTek и батарея на 6000 мА·ч 3 ч.
Corsair представила проводную и беспроводную мышки M65 RGB Ultra с сенсором на 26 000 DPI 4 ч.
iPhone следующего поколения лишится «чёлки» и получит улучшенные камеры, заявил авторитетный аналитик 5 ч.
Дания упростила продажи «избыточного» тепла дата-центров сетям центрального отопления 5 ч.
В Москве впервые сгорел электробус — возможно, из-за замыкания в приборной панели 6 ч.
Британский оператор вертолётов заинтересовался аэротакси — они могут оказаться более выгодными 7 ч.