Новости Hardware

Китайская Longsys представила твердотельные накопители Foresee XP1000 — до 2 Тбайт и до 3500 Мбайт/с

Крупнейший китайский разработчик контроллеров и SSD, компания Longsys, представила твердотельные накопители Foresee XP1000, выполненные в форм-факторе M.2 2280 с габаритами 22 × 80 мм.

 Изображение Longsys

Изображение Longsys

Изделия используют для обмена данными с компьютером интерфейс PCIe 3.0 х4 (спецификация NVMe 1.4). Использована флеш-память 3D TLC с хранением трёх бит информации в одной ячейке. Кеш DRAM не предусмотрен.

В семейство вошли модели вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с.

Значение IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении и произвольной записи — до 327 тыс. и 294 тыс. соответственно.

Средняя наработка на отказ достигает 1 500 000 часов. Реализована поддержка средств мониторинга S.M.A.R.T. и команд TRIM. Гарантия производителя составляет три года. Сведений об ориентировочной цене нет.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Беспроводные наушники 1MORE EVO с высококлассным звуком Hi-Res Audio Wireless и ANC предлагаются со скидкой 1 мин.
Xbox Series S и X вновь обошли по продажам PlayStation 5 на прошедшей неделе в Японии 34 мин.
Электромобиль Cadillac Celestiq получит ценник в $300 тысяч 2 ч.
Основой суперкомпьютера MareNostrum-5 всё же станут процессоры Intel  Xeon Sapphire Rapids и ускорители NVIDIA H100 3 ч.
С AMD Ryzen 7 5800X3D сняли крышку и заменили припой на «жидкий металл» — температура упала на 10 °C 6 ч.
Американский грузовой корабль Cygnus впервые скорректировал орбиту МКС 11 ч.
GlobalFoundries: для победы над дефицитом в полупроводниковую отрасль нужно вложить триллионы долларов 11 ч.
Бесшумный мини-компьютер Zotac ZBox Pro CI333 nano построен на платформе Intel Elkhart Lake 11 ч.
DDR5-10224: новый рекорд в разгоне памяти получен при помощи особого модуля DDR5 11 ч.
Смартфоны обзаведутся поддержкой сверхбыстрой зарядки мощностью 240 Вт 12 ч.