Новости Hardware

Представлены чипы сверхнадёжной памяти STT-MRAM рекордной ёмкости

Для авиации и космоса начат выпуск дискретных чипов памяти STT-MRAM ёмкостью 1 Гбит (128 Мбайт). Это во много раз более плотная магниторезистивная память, чем предлагалось ранее. Фактическая плотность размещения ячеек памяти STT-MRAM увеличена в 64 раза, если говорить о продукции компании Micross, которая выпускает сверхнадёжную электронную начинку для аэрокосмической и оборонной промышленности.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

В основе микросхем STT-MRAM Micross лежит технология американской компании Avalanche Technology. Компания Avalanche создана в 2006 году выходцем из Lexar и Cirrus Logic Петром Эстахри (Petro Estakhri). Кроме Avalanche в разработке коммерческих версий STT-MRAM преуспели компании Everspin и Samsung. Первая работает в сотрудничестве с GlobalFoundries и ориентируется на выпуск встраиваемой и дискретной STT-MRAM с технологическими нормами 22 нм, а вторая (Samsung) пока выпускает STT-MRAM в виде встраиваемых в контроллеры 28-нм блоков. Блок STT-MRAM ёмкостью 1 Гбит, кстати, Samsung представила почти три года назад.

Заслугой Micross можно считать выпуск дискретной 1-Гбит STT-MRAM, которую легко использовать в электронике вместо NAND-флеш. Память STT-MRAM работает в большем температурном диапазоне (от -40 °C до 125 °C) с практически бесконечным количеством циклов перезаписи. Она не боится радиации и перепадов температур и может хранить данные в ячейках до 10 лет, не говоря о более быстрых скоростях чтения и записи, и о меньшем энергопотреблении.

В заключение напомним, что память STT-MRAM хранит данные в ячейках в виде намагниченности. Этот эффект обнаружен в 1974 году во время разработки жёстких дисков в компании IBM. Точнее, тогда был обнаружен магниторезистивный эффект, послуживший основой технологии MRAM. Намного позднее было предложено менять намагниченность запоминающего слоя с помощью эффекта переноса спина электрона (магнитного момента). Так к названию MRAM добавилась аббревиатура STT. На переносе спина основывается направление спинтроники в электронике, что очень сильно снижает потребление чипов за счёт предельно малых токов в процессе.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥