Новости Hardware

Samsung представила технологию производства чипов 17LPV — гибрид 14- и 28-нм техпроцессов

Компания Samsung анонсировала новый 17-нм техпроцесс, предназначенный для производства продуктов, которые сейчас производятся с использованием планарного 28-нм техпроцесса, но могли бы получить определённые преимущества при переходе на 14-нм техпроцесс FinFET. Всё же, большая часть полупроводниковой продукции сейчас выпускается по отнюдь не самым передовым техпроцессам, и Samsung предлагает им возможность улучшения.

Источник: anandtech.com

Источник: anandtech.com

При разработке полупроводниковых компонентов всегда учитываются проектные нормы. Поэтому нельзя просто так начать производить компоненты, разработанные под 28-нм техпроцесс на более современных 14-нм линиях, так как на них применяется совершенно разный подход к формированию микросхем, не говоря уже об отличиях в конструкции самих транзисторов.

При производстве учитываются два или три основных сегмента. Производство начинается с этапа Front-End-Of-Line (FEOL) — формирования активных частей кристалла. Когда говорят о передовых технологиях, подразумевается именно FEOL, на котором реализуются наиболее совершенные средства создания кремниевых элементов. Далее следует этап Back-End-Of-Line (BEOL) — формирование межсоединений и вспомогательных подключений. Иногда говорят о промежуточном этапе Middle-End-of-Line (MEOL), на котором формируются крошечные металлические структуры, которые подключаются к линиям BEOL.

При описании технологий, например, 28 нм, предусматриваются проектные нормы для обоих этапов — FEOL и BEOL. Но в отдельных случаях производители объединяют одни проектные нормы FEOL с другими BEOL, чтобы создать линейку продуктов с некоторыми особенностями обоих сегментов. Именно так был реализована новая 17-нм технология 17LPV (Low Power Value), анонсированная в рамках мероприятия Samsung Foundry Forum.

Источник: samsung.com

Источник: samsung.com

Технология 17LPV объединяет 14-нм FEOL (и, соответственно, 14-нм FinFET-транзисторы) с межсоединениями 28-нм BEOL. Это значит, что за дополнительную плату заказчики могут получить преимущества производительности и энергопотребления технологии FinFET без дополнительных затрат на более плотные BEOL. Как уточнила компания Samsung, технология 17LPV обеспечивает уменьшение площади компонента на 43 %, увеличение производительности на 39 % или повышение энергоэффективности на 49 % в сравнении с 28-нм аналогами.

На практике решения на основе 17LPV смогут использоваться, например, в сигнальных процессорах обработки изображения с камеры, где не требуется максимальная плотность элементов. Кроме того, Samsung будет использовать технологию при производстве дисплеев — на компонентах высокого напряжения.

Samsung также представила технологию 14LPU (Low Power Ultimate) схожего предназначения и, вероятно, архитектуры, которая будет применяться во встроенных MRAM и микроконтроллерах. Компания пока не стала уточнять сроков внедрения новых решений, однако представители Samsung Foundry назвали данные технологии «сменой парадигмы» для компании, которая позволит усовершенствовать специализированные компоненты.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥