Оригинал материала: https://3dnews.ru/1063146

В России разработают безмасочный фотолитографический сканер — у этой установки не будет аналогов в мире

Московский институт электронной техники (МИЭТ) заключил с Минпромторгом контракт стоимостью 670 млн рублей на разработку концепции безмасочного рентген-фотолитографа «на базе синхротронного и/или плазменного источника». Аналогов этой установке в мире нет, зато задел для создания её есть и создан он в России несколько лет назад. Роль фотошаблона у такого сканера будет играть массив микрозеркал на основе матриц МЭМС, а детализация достигнет 28 нм и меньше.

 Схема установки безмасочной рентгеновской литографии с управлением коэффициентом отражения рентгеновского излученияИсточник изображения: Журнал «Стимул»

Схема установки безмасочной рентгеновской литографии с управлением коэффициентом отражения рентгеновского излучения. Источник изображения: Журнал «Стимул»

Фактически в России рассчитывают создать литографический сканер на основе так называемого EUV-излучения с длиной волны 13,5 нм и даже меньше. Сегодня такие сканеры выпускает исключительно нидерландская компания ASML и отсекает от этой продукции всех политически неугодных. Российские учёные планируют использовать в качестве источника излучения как рентгеновские лучи, так и источник синхротронного излучения.

Но особенно остро стоит вопрос с производством фотошаблонов (фотомасок). Это сложное и дорогостоящее производство, которое экономически целесообразно для массового выпуска полупроводников. И чем большей детализации требует техпроцесс, тем дороже фотомаски, которых, к тому же, требуется до нескольких десятков на каждый вид продукции. В России пока нет задач, которые оправдали бы огромнейшие расходы на создание и поддержку работы всей цепочки создания фотошаблонов и этим интересен проект, над которым начинают работать в МИЭТ и не только.

Безмасочная рентгеновская нанолитография МОЭМС (микрооптические электромеханические системы) будет прорабатываться по двум основным направлениям: с управлением коэффициентом отражения рентгеновского излучения и с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения. В первом случае это будет система зеркал, а во втором — полупрозрачных элементов.

 Источник изображения: Журнал «Стимул»

Схема установки безмасочной рентгеновской литографии с управлением коэффициентом пропускания рентгеновского излучения. Источник изображения: Журнал «Стимул»

Фотомаска МОЭМС будет представлять собой структуру с миллионами пикселей, которая будет формировать изображение для проекции на светочувствительный слой кремниевой пластины. Как следует из предложенного принципа, рисунок на фотошаблоне будет динамический и его без проблем можно будет в любой момент заменить на другой. Подобное предложение в принципе меняет подход к производству полупроводников, но вряд ли мы увидим что-то близкое к промышленной установке в ближайшие годы. Как отмечают авторы оригинальной заметки, начинать надо было 15 лет назад. Больше подробностей по ссылке.



Оригинал материала: https://3dnews.ru/1063146