Сегодня 24 апреля 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Western Digital рассказала о работе над 162-слойной флеш-памятью BiCS6 и планах создать память из более чем 200 слоёв

На этой неделе компания Western Digital рассказала о планах развития памяти 3D NAND на ближайшие годы. Помимо прочего компания отметила, что вместе со своим партнёром японской компанией Kioxia она разрабатывает 162-слойные чипы флеш-памяти с ячейкой уменьшенной площади и флеш-память повышенной производительности с более чем 200 слоями.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

Память 3D NAND нового поколения BiCS6 появится ближе к концу текущего года. Это будут на первый взгляд не самые передовые по количеству вертикальных слоёв чипы — всего 162 слоя, что на фоне только что представленных Micron 232-слойных чипов 3D NAND выглядит довольно скромно. Тем не менее, ёмкость у решений WD и Micron одинаковая — 128 Гбайт (1 Тбит). А площадь BiCS6 и вовсе составит максимально компактные в отрасли 68 мм2. Добиться этого компания смогла за счёт заметного снижения физических размеров ячеек памяти, в чём помогло использование нового материала в их структуре.

Добавим, память BiCS6 будет хранить четыре бита в каждой ячейке (QLC). Снижение физического объёма ячейки с сочетанием записи четырёх бит в каждую из них должно привести к снижению числа циклов перезаписи, но WD пока не раскрывает это значение. В то же время скорость работы памяти BiCS6 обещает оказаться на 60 % выше, чем в случае современных решений, что позволит использовать её как для выпуска массовых накопителей, так и ёмких SSD серверного назначения. Повышение плотности также должно снизить себестоимость производства, что важно для всех.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

Не менее интересно выглядит ещё одна новая разработка — память BiCS+ с более чем 200 слоями. Утверждается, что она разрабатывается с нуля преимущественно для SSD серверного назначения. Память BiCS+ появится к 2024 году и обеспечит по сравнению с памятью BiCS6 прирост бит на каждую пластину до 55 %, как и рост скорости до 60 %. Также на 15 % вырастет скорость записи, что для флеш-памяти типа NAND не менее важно, чем всё остальное.

 Источник изображения: Western Digital

Источник изображения: Western Digital

В перспективе компания WD как и остальные производители 3D NAND стремится к 500 и более слоям 3D NAND. Выпускать такую память можно только с помощью комбинации множества технологий, включая вертикальную «склейку» кристаллов памяти. Не теряет компания надежду выпустить память с записью пяти бит в каждую ячейку (PLC), но это не менее трудно, чем выпустить 3D NAND с 500 слоями, что отдаляет время её появления.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
SSE4.2-инструкции стали обязательны для Windows 11 24H2 — в LGA775- и AM2/AM3-системах ОС не загружается 4 мин.
В 2023 году ГК «Солар» росла вдвое быстрее рынка 20 мин.
В Японии назревает противостояние двух приложений в духе Pokemon Go, но со столбами электропередач вместо покемонов 3 ч.
Релиз СУБД Platform V Pangolin 6.1: упрощённая миграция с зарубежных решений и повышенная производительность 4 ч.
Появились первые данные об успехах сериала Fallout — миллионы просмотров за рубежом и популярность в России 5 ч.
Блокировка TikTok в США одобрена Сенатом и вскоре станет законом 5 ч.
Сверхспособности, кошачий стелс и механика страха: инсайдер раскрыл детали мрачной Assassin's Creed Codename: Hexe про охоту на ведьм 5 ч.
SAS Institute представила новые инструменты для разработчиков ИИ-приложений — Viya Copilot и SAS Viya Workbench 5 ч.
Вышел Unreal Engine 5.4: улучшение TSR, повышенная производительность и ускоренная трассировка лучей 6 ч.
Институт системного программирования РАН и «Базис» расширяют работу по повышению безопасности российских облачных решений 7 ч.