Новости Hardware

Samsung Electronics начала производство 3-нм чипов — раньше всех конкурентов

В мае этого года руководство Samsung Electronics использовало визит президента США Джозефа Байдена (Joseph Biden) на одно из своих предприятий в Южной Корее, чтобы привлечь внимание общественности к факту наличия у компании кремниевых пластин с образцами 3-нм продукции. Высокопоставленный гость даже оставил автограф на одной из них. Теперь Samsung доложила о начале выпуска 3-нм продукции, в последний день квартала.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Подобная пунктуальность тоже была важна с идеологической точки зрения, ведь Samsung Electronics давно обещала, что к выпуску 3-нм продукции приступит именно во втором квартале 2022 года, а не во втором полугодии, как конкурирующая TSMC. Промедление в один день стоило бы корейскому гиганту важного маркетингового преимущества, поскольку второе полугодие начинается завтра. Теперь Samsung имеет формально право заявлять, что первой начала производство 3-нм продукции. Но при этом в пресс-релизе Samsung не идёт речи о крупносерийном производстве, что оставляет компании пространство для манёвра в плане объёмов выпуска 3-нм чипов.

Как известно, структура транзисторов в рамках 3-нм технологии Samsung претерпела серьёзные изменения. Помимо транзисторов с окружающим затвором (GAA), говорится о компоновке MBCFET и использовании наностраниц при формировании каналов транзистора. В совокупности, как поясняет Samsung, все эти меры позволяют снизить уровень энергопотребления на 45 % по сравнению с 5-нм техпроцессом, улучшить быстродействие транзисторов на 23 % и повысить плотность их размещения на 16 %. Приведённые показатели справедливы для первого поколения 3-нм продукции Samsung, во втором обещано снижение энергопотребления на 50 %, повышение производительности на 30 % и уменьшение занимаемой площади на 35 %.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Подчёркивается, что внедрение 3-нм техпроцесса начнётся с сегмента высокопроизводительных вычислений, и только потом он доберётся до мобильных компонентов. По крайней мере, если речь идёт о транзисторах с нанолистами, как поясняет Samsung Electronics в своём пресс-релизе. Напомним, TSMC рассчитывает приступить к массовому производству 3-нм продукции во втором полугодии, но выручку от её поставок начнёт получать лишь в первой половине следующего года. Кроме того, TSMC будет придерживаться более консервативной структуры транзисторов FinFET, приберегая компоновку GAA для 2-нм технологии.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Сюрреалистическое приключение Betrayal At Club Low от создателя The Norwood Suite слегка опоздает к релизу 19 мин.
VK отчиталась о росте выручки на 4 % во втором квартале 2 ч.
Изобретательный платформер Overloop предложит обрекать на смерть собственных клонов, чтобы спасти мир 3 ч.
Апокалипсис в стиле диско: трейлер атмосферной ролевой тактики Sunday Gold раскрыл дату релиза 3 ч.
Отменённая кампания Call of Duty: Black Ops 4 засветилась в новой утечке — в Сеть выложили сотни изображений с закрытых презентаций 3 ч.
Минцифры планирует до суда блокировать мошеннические сайты в Рунете 4 ч.
Cisco Systems подтвердила факт взлома своих систем группировкой Yanluowang 4 ч.
Подборка платных и бесплатных стартовых дополнений к ролевой игре Soul Hackers 2 удостоилась отдельного трейлера 4 ч.
В Steam выйдет симулятор белки-убийцы Squirrel with a Gun — скриншоты и геймплей 6 ч.
Приключенческий экшен-платформер The Devil Within: Satgat даст волю внутренним демонам в следующем году 6 ч.