Компания Samsung Electronics заложила фундамент нового комплекса для исследований и разработок в области полупроводников в Гихыне, Республика Корея. До 2028 года Samsung инвестирует в новый центр 20 трлн вон ($15 млрд). В новом центре будут проводиться передовые исследования в области следующего поколения памяти и других полупроводников, а также разрабатываться новые прорывные технологии.
Источник изображения: Samsung
Примечательно, что новые корпуса площадью 109 тыс. м2 будут возведены рядом с кампусом подразделения DS в Хвасеонге, где в 1992 году была разработана первая в мире 64-Мбит DRAM, что ознаменовало начало лидерства компании в области полупроводников.
«Наш новый современный научно-исследовательский комплекс станет центром инноваций, куда смогут приезжать и развиваться лучшие научные кадры со всего мира, — сказал президент компании Кье Хен Кюн (Kye Hyun Kyung), который также возглавляет подразделение Device Solutions (DS). — Мы ожидаем, что это новое начало заложит основу для устойчивого роста нашего полупроводникового бизнеса».
Не секрет, что пределы масштабирования полупроводников близки к своему теоретическому пределу в рамках разработанных техпроцессов. Этим летом Samsung стала первой компанией, которая внедрила массовое производство чипов с транзисторами с полностью каналами, полностью окружёнными затворами GAA (Gate All Around). С созданием нового научно-исследовательского центра Samsung Electronics стремится ещё глубже преодолеть пределы масштабирования полупроводников и укрепить свои конкурентные преимущества в области полупроводниковых технологий.