Samsung рассказала об успехах на рынке памяти: GDDR7 и более ёмкая DDR5 уже в разработке, 1-Тбит чипы V-NAND выйдут к концу года

На конференции Samsung Tech Day 2022, которая впервые за последние три года вернулась к очному формату, корейский производитель рассказал об инновациях в области чипов памяти, как оперативной, так и постоянной. Компания уже готовит чипы нового поколения GDDR7, более ёмкие DDR5, а также более быстрые LPDDR5X. В сегменте флеш-памяти компания намерена активно наращивать число слоёв в чипах и соответственно их ёмкость.

Глава подразделения Memory Business в Samsung Electronics Чжун Бэй Ли. Источник изображения: news.samsung.com

В год, знаменующий 20- и 30-летие лидирующих позиций в области соответственно NAND и DRAM, Samsung представила чипы DRAM пятого поколения в классе 10 нм (условное обозначение 1b), а также продемонстрировала память V-NAND восьмого и девятого поколений — компания намеревается сохранить лидерство как минимум в течение ближайшего десятилетия. Глава подразделения Memory Business в Samsung Electronics Чжун Бэй Ли (Jung-bae Lee) отметил, что с момента основания вверенного ему предприятия 40 лет назад компания произвела триллион гигабайтов оперативной памяти, причём около половины этого объёма было выпущено за последние три года, что свидетельствует о темпах цифровой трансформации.

Технология 1b DRAM в настоящее время ещё не вышла из стадии разработки, однако массовое производство намечено на 2023 год. Для преодоления существующих ограничений компания активизировала инновации по всему фронту, используя различные решения, включая материал High-K. Samsung также рассказала о последних наработках: 32-Гбит чипах DDR5, модулях LPDDR5X на 8,5 Гбит/с и GDDR7 на 36 Гбит/с — эти решения позволят раскрыть новые возможности в области ЦОД и HPC, а также в мобильных, игровых и автомобильных сегментах. Корейский производитель также подчеркнул важность специализированных решений, включая HBM-PIM, AXDIMM и CXL для оптимизации обработки данных, объёмы которых стремительно растут.

Технология флеш-памяти Samsung V-NAND дебютировала около десяти лет назад, за прошедшее время сменив восемь поколений, в 10 раз увеличив число слоёв и в 15 раз — плотность данных. Компания уже выпускает рекордные для отрасли 512-Гбит модули 3D TLC NAND, а к концу года стартуют поставки их 1-Тбит преемников. В стадии разработки находится V-NAND девятого поколения, а её массовое производство намечено на 2024 год. К 2030 году компания собирается преодолеть отметку в 1000 слоёв. Наконец, в свете активного развития технологий искусственного интеллекта в Samsung решили ускорить переход на четырёхбитные ячейки памяти (QLC).

Ещё Samsung поделилась агрессивными планами по рынку автомобильных решений. Компания рассказала о своих разнообразных решениях на рынке памяти, разработанных для разных современных автомобильных функций, в том числе информационно-развлекательных систем (IVI), автономного вождения (AD) и передовых систем помощи водителю (ADAS), кластеров и шлюзов до телематики. С момента выхода на рынок автомобильной памяти в 2015 году Samsung быстро наращивала свое присутствие и намерена стать к 2025 году крупнейшим поставщиком автомобильной памяти.