Micron бросила вызов законам физики в техпроцессе 1β для DRAM — +35 % к плотности и +15 % к энергоэффективности без EUV

Micron объявила о готовности начать массовое производство чипов оперативной памяти DRAM по «самому передовому в мире» техпроцессу для данных изделий — 1β (1-бета). Компания утверждает, что с данным техпроцессом бросила вызов законам физики — используя весь свой опыт в производстве микросхем, компании удалось избежать применения литографии в сверхжёстком ультрафиолете (EUV).

Micron заявила, что первой в отрасли освоила техпроцесс 10-нм класса 1β. Фактически, это развитие запущенного в прошлом году техпроцесса 1α — чипы, выполненные по новой технологии обладают на 15 % более высокой энергоэффективностью и повышенной более чем на 35 % плотностью битов. Ёмкость одного кристалла может достигать 16 Гбит.

Компания особенно гордится, что в новом техпроцессе ей не пришлось задействовать EUV-литографию, хотя неизбежность её применения в будущем она и признаёт. Но пока что EUV является молодой технологией, потому Micron и не хотела использовать её. Вместо этого компания применила запатентованные передовые технологии с использованием нескольких масок и специальной техники погружения для размещения на кремниевой пластине крошечных элементов с высочайшей точностью.

При этом новый техпроцесс обеспечивает высочайшую плотность размещения ячеек DRAM на кристалле, что позволит уместить больше оперативной памяти в смартфонах, IoT-решениях и прочих устройствах с компактным форм-фактором. Также новый техпроцесс позволяет создавать память с более высокой энергетической эффективностью, что особенно важно не только в мобильных устройствах, но и, например, в дата-центрах данных, ведь им приходится работать со всё большим объёмом данных.

Micron будет массово выпускать память DRAM на техпроцессе 1β на своём заводе в Хиросиме, Япония. Компания утверждает, что уже готова к массовому производству, а также уже начала рассылать чипы памяти LPDDR5X, выполненные по новому техпроцессу, своим партнёрам. Речь идёт о чипах памяти LPDDR5X со скоростью 8500 Мбит/с.

В течение следующего года компания будет расширять портфель продуктов, выполненных на техпроцессе 1β, в том числе памятью для встраиваемых систем, центров обработки данных, клиентских, потребительских, промышленных и автомобильных сегментов, включая графическую память, память с высокой пропускной способностью и многое другое.