Новости Hardware

16-мегабитная магниторезистивная память

Первый в мире 16-Mбитный прототип магниторезистивной памяти был представлен фирмами Infineon Technologies AG и IBM. Этот образец магниторезистивной памяти случайного доступа (MRAM) имеет максимальную плотность из всех существующих образцов. Время необходимое для записи первого бита информации в такую память в 1 млн. раз меньше чем у Flash-памяти, к тому же MRAM потребляет меньше энергии, чем DRAM. Внедрение памяти этого вида планируется в первую очередь в мобильных устройствах.
16-мегабитная магниторезистивная память

    window-new
    Soft
    Hard
    Тренды 🔥