Новости Hardware

Matsushita и Renesas успешно осваивают 45 нм технологию

Renesas Technology и Matsushita Electric Industrial в своем сотрудничестве по освоению 45-нм технологии подошли к этапу окончания предварительных стадий подготовки и началу опытного производства первых образцов. Подразделение R&D компании Renesas в городе Итами уже развернуло иммерсионную систему неназванного производителя с аргон-фторидным (ArF) лазером и числовой апертурой (numerical aperture, N.A.) 1,0. История нынешних совместных работ по освоению новых техпроцессов началась в 1998 г., когда свои усилия в этом направлении объединили компании Matsushita и Mitsubishi Electric. Затем, после образования компаниями Mitsubishi и Hitachi совместного предприятия по производству полупроводников Renesas, к последней перешла роль партнера Matsushita по исследованиям и разработке. Благодаря совместной работе R&D подразделений в свое время уже были освоены 130 нм, 90 нм и 65 нм техпроцессы. Проект по освоению 45 нм норм стартовал в октябре 2005 г. Команда разработчиков высказала намерение учесть при разработке 45 нм техпроцесса новейшие технологии и приемы организации архитектуры чипов, включая «напряженный» за счет внедрения атомов германия кремний и медные проводники с пленками изоляторов между слоями, обладающими низкой относительной проницаемостью. Окончание работ по освоению 45-нм техпроцесса ожидается осенью следующего года, а начало массового производства по новым нормам намечено на апрель 2008 г. Тематические материалы в статьях: - Как делают модули памяти: на примере GEIL;
- Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥