Новости Hardware

Новый чип PRAM в 500 раз быстрее флэш-памяти!

В начале сентября компания Samsung продемонстрировала чип памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory) плотностью 512 Мбит. Основным достоинством новой памяти тогда отмечалась большая скорость по сравнению с традиционной флэш-памятью. Скорость записи данных на чип PRAM в 30 раз превышала скорость записи на флэш-память. В самом конце сентября компания Intel представила первую 250-мм подложку со 128-мегабитными PRAM-чипами. И всё, в последующие месяцы мы практически ничего не слышали о новых достижениях, относящихся к PRAM-памяти. Тем временем, много внимания уделялось новым разработкам в области накопителей на магнитных жестких дисках. Время от времени выступали с идеями "насадить" 1 терабайт на оптический носитель. В этом водовороте событий про PRAM как бы призабыли... но не надолго. Сегодня на сайте IBM появилась информация о новой разработке в области памяти на основе фазового перехода (phase-change memory, или PCM). Над прототипом чипа PRAM-памяти, который будет представлен 13 декабря на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Сан-Франциско, работают три компании: IBM, Qimonda и Macronix. Заявления разработчиков впечатляют. Сообщается, что новый чип работает в 500 (!) раз быстрее традиционной флэш-памяти. Помимо этого, новая PRAM-память потребляет вдвое меньше электроэнергии по сравнению с "флэшкой". Как сообщает IBM, для производства традиционной флэш-памяти 45-нм технологические нормы являются "потолком", в то время как PRAM-чипы можно производить по 22-нм техпроцессу. Конечно, это положительным образом скажется на миниатюризации нового типа памяти. Также преимуществом новой технологии является большая надежность. Основной идеей PRAM-памяти является использование для хранения информации двух фазовых состояний вещества (отсюда и название). Полупроводник находится либо в упорядоченной фазе (кристаллической), либо в неупорядоченной (аморфной). Поскольку для хранения фазовых состояний не требуется питание, то PCM-память является энергонезависимой. Характеристикой ячейки памяти, на основании которой считываются данные, является её электрическое сопротивление. Как нетрудно догадаться, в кристаллической фазе электрическое сопротивление малое (вероятно, ему присвоено значение "1", хотя источник это не уточняет), а в аморфной – большое ("0"). Переключения состояний осуществляются с помощью электрических импульсов. Ну, и последнее, о чем стоит упомянуть. В своей разработке IBM, Qimonda и Macronix в качестве материала использовали сурьмид германия (GeSb). Конечно, в процессе экспериментов к нему добавлялись разные примеси, в результате чего был достигнут оптимальный состав. К слову, его уже успели запатентовать. Предлагаю Вашему вниманию фотографии, опубликованные на сайте IBM. Если Вы заинтересовались разработкой, можно скачать видеоролики, которые находятся здесь.
чип PRAM. Технология
чип PRAM. Технология
Материалы по теме: - PRAM – новый тип памяти;
- Новая память по нанотехнологиям;
- PRAM - "совершенная" память от Samsung.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥