Новости Hardware

Sharp: еще один шаг навстречу RRAM

Медленно, но уверенно исследователи приближаются к внедрению технологий, альтернативных флэш-памяти. Одним из направлений является разработка резистивной энергонезависимой памяти RRAM. Компания Sharp и японский институт передовой отраслевой науки и технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) ведут совместные разработки RRAM-памяти, конечной целью которых является создание коммерческого продукта на базе новой технологии и вывода его на рынок. Как и в случае с PRAM-технологией, характеристикой ячейки резистивной памяти, на основании которой считываются данные, является её электрическое сопротивление. В качестве материала используется тонкий слой окисла металла. Ранее для записи/стирания RRAM-ячейки требовался двуполярный источник питания. Новая разработка позволяет использовать однополярное питание, а это, как сообщают инженеры, еще на шаг приближает доведение RRAM-памяти "до ума". Пока информации о новой разработке слишком мало. Более подробные сведения мы получим после конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), которая проходит в Сан-Франциско с 11 по 13 декабря. Как мы уже сообщали, на этом же мероприятии будет представлен и чип PRAM-памяти, разработанный компаниями IBM, Qimonda и Macronix. Материалы по теме: - Вирус используется для создания нового вида памяти;
- Новый чип PRAM в 500 раз быстрее флэш-памяти!;
- Новая память по нанотехнологиям.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥