Новости Hardware

Улучшение флэш-технологии: способ Macronix

Приятно, что производители, разрабатывая новые технологии, не забывают и о совершенствовании существующих. Недавно компания Macronix, хорошо известная всем, кто интересуется носителями информации, представила свою новую разработку, которая поможет перевести производство флэш-памяти на 45-нм нормы. Инженеры компании считают, что первые инженерные образцы чипов емкостью 2 Гбит, сделанных с использованием новой технологии по 75-нм нормам, появятся уже в следующем году. А массовое внедрение чипов, произведенных по 45-нм нормам, намечено на 2010 год. Некоторые разработчики используют при производстве флэш-памяти следующую структуру: кремний – окись – нитрид – окись – кремний (англ. аббр. SONOS). Основным достоинством применения этой структуры является улучшение таких параметров, как энергопотребление, надежность, плотность записи. Но из-за слишком тонкого первого слоя оксида (O1) наблюдается большой ток утечки. Ранее с этим боролись таким образом: добавляли 4-нм слой нитрида, в результате чего ток утечки значительно уменьшался. Но это вело за собой и уменьшение быстродействия. Инженеры Macronix предложили свой подход. Они разработали новую структуру, которая получила название SONONOS или BE-SONOS. Слой окисла O1 в SONOS заменяется 3-слойной структурой O1-N1-O2. В результате получают диэлектрический слой толщиной 5,3 нм. Он покрывается 7-нм нитридным слоем (N2), который удерживает заряд, и далее 9-нм блокирующим слоем окиси (O3). При записи происходит изменение ширины запретной зоны таким образом, что возникает туннельный эффект. Благодаря этому, носители заряда быстро проникают внутрь ячейки. Первые образцы демонстрируют скорость записи в 6 Мб/с, а скорость стирания ниже в 1,5 - 2 раза, чем у современной флэш-памяти. Но инженеры уверены, что эти показатели значительно улучшатся в процессе дальнейших исследований. Отмечается, что новая технология Macronix чем-то схожа с CTF-технологией, которую анонсировала компания Samsung в сентябре этого года. Решение, предложенное Samsung, позволяет создавать чипы с лучшими характеристиками, чем память, основанная на SONONOS. Но у технологии Macronix есть свой плюс: она полностью совместима с КМОП-технологией, поэтому переход к массовому производству будет проще. Материалы по теме: - Samsung анонсировала 40-нм 32 Гбит чип NAND-флэш с революционной архитектурой;
- Новый чип PRAM в 500 раз быстрее флэш-памяти!
- Внешний накопитель ZIV PRO.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥