Новости Hardware

Hynix представила 60-нм чипы DDR2 DRAM

Компания Hynix Semiconductor, известный корейский производитель полупроводниковых продуктов, анонсировала сегодня семейство модулей памяти, основанное на новых 60-нм 1-гигабитных чипах DDR2 DRAM повышенной плотности. Представленные UDIMM (unbuffered DIMM, небуферизированные DIMM) модули имели объем 1 Гб и 2 Гб и работали на частоте 800 МГц. По утверждению компании, с запуском массового 60-нм производства, стоимость микросхемы памяти емкостью в 1 Гбит может снизится на 50%, по сравнению с таковой у 80-нм продуктов.
Hynix DIMM
Большая емкость чипов позволит Hynix производить недорогие 4 Гб серверные модули памяти, как стандарта RDIMM (registered DIMM) так и FBDIMM (fully buffered DIMM, полностью буферизированная память, не поддерживаемая на данный момент процессорами AMD). С другой стороны, небольшой размер новинок позволит выполнять двухрядную планарную сборку модулей без накладного монтажа микросхем (Stacked DIMM), что существенно удешевит их производство. Кроме того, малые габариты чипов позволят создавать низкопрофильные (Very Low profile, VLP) модули большого объема для мобильных устройств. Начало массового производства 60-нм чипов намечено на первую половину 2007 года. Материалы по теме: - Мобильные 512-Мбит DRAM-чипы Hynix достигают 1,6 Гб/с;
- Hynix уделит больше внимания GDDR4;
- Hynix представила GDDR4.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥