Новости Hardware

Беседа с Патриком Гелсингером: немного о планах Intel

Журналисты с интернет-сайта ZDNet UK имели возможность пообщаться с руководителем отдела Digital Enterprise Group компании Intel Пэтом Гелсингером (Pat Gelsinger). Он отвечает за развитие процессоров Core и Itanium, и в своем интервью рассказал о перспективах развития серверной платформы (кстати, Пэт руководил группой разработчиков легендарного процессора Intel 80486). Пересказывать объемное интервью нет смысла, тем более речь идет не о десктопных процессорах, поэтому вкратце выделим лишь ключевые моменты. Большую часть беседы Гелсингер посвятил вопросу конвергенции (сближения, унификации) процессоров Xeon и Itanium, а также важности направления разработки энергоэффективных решений. По мнению Патрика, такое сближение облегчит труд разработчикам. Общие элементы позволят использовать для разработки одни и те же библиотеки и технологии, а создание единой платформы поможет OEM-производителям создавать более гибкие решения. В то же время Xeon и Itanium будут иметь принципиальные отличия, такие как разные наборы команд и микроархитектуру. А вот архитектура кэша будет схожа. Еще одной общей чертой станет шина CSI. Пэт Гелсингер сообщил, что первым результатом конвергенции станет появление в 2008 году 4-ядерных процессоров Itanium с архитектурой Tukwila. Уже в них будет реализована шина CSI. Следующим этапом сближения станет решение, именуемое Пэтом как Poulson. На вопрос о планах Intel по внедрению многоядерных решений Пэт ответил, что многоядерность является стратегическим направлением. Для одних задач лучшим решением будут процессоры с несколькими высокопроизводительными ядрами, для других – множество «маленьких» энергоэффективных ядер, для третьих - комбинация высокопроизводительных специализированных и "маленьких" ядер. Однородные ядра будут применяться в low-end системах, а в более дорогих будут реализовываться комбинации разных ядер, "заточенных" под соответственные задачи. Поэтому будет представлен целый спектр решений для удовлетворения различных потребностей. Конечно, не могли не затронуть тему «high-k диэлектриков и металлических затворов». По мнению Пэта, новые материалы лягут в основу транзисторов нескольких поколений. Несомненно, эти материалы будут модифицироваться, легироваться различными добавками для получения еще лучших характеристик. Но революционных изменений в новых материалах не произойдет на протяжении нескольких лет. Действительно, прошло более 40 лет с внедрения диоксида кремния, а его замена произойдет только в следующем поколении процессоров. С другой стороны, будет изменяться структура самих транзисторов. К примеру, сейчас ведутся активные исследования транзисторов с тремя затворами. Материалы по теме: - Intel собирается открыть серверную архитектуру;
- Intel: 4 фабрики для производства 45-нм процессоров.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥