Новости Hardware

Литографический роадмап от Nikon

Японская корпорация Nikon на днях опубликовала очередной роадмап в области технологического оборудования для вакуумной (extreme ultraviolet, EUV) литографии, согласно которому она планирует поставить два первых работающих прототипа уже в конце текущего года. Сообщается, что первыми получателями станут компании Intel и Selete. Как заявили представители Nikon, план внедрения новой технологии будет состоять из двух последовательных шагов: к концу 2007 года корпорация представит два работающих прототипа, а к началу 2009 года будет произведен первый серийный образец.
Установка для литографии
Технология вакуумной литографии позволит уменьшить размеры элементов, наносимых на поверхности кремниевых пластин, а это в свою очередь обеспечит соответствующее увеличение производительности микросхем. На сегодняшний момент в производстве используется свет с длиной волны 193 нм, позволяющий изготовлять 45-нм транзисторы, а теоретический предел традиционной литографии едва опускается ниже структур размером в 32 нм. Напомним, что корпорация уже имеет в своем распоряжении две опытные литографические установки: EUV1 и EUV2, представляющие собой сканеры с длиной волны 13,5 нм и числовой апертурой проекционной линзы в 0,25 (в современных 193-нм сканерах этот показатель доходит до 1,35). Первая обладает разрешением 45-нм, операционной площадью 25x33 мм и способна наносить на кремниевые пластины шаблоны с 25-нм элементами; ее производительность составляет от 5 до 10 подложек в час. Возможности второй еще больше: разрешение уменьшено до 32 нм, размер элементов – до 21 нм; производительность наоборот увеличена до 50-100 подложек в час. Ожидается, что именно EUV2 и станет прототипом для первых серийных сканеров. Материалы по теме: - EUV развивается медленно, заявляет Intel;
- Суровое будущее литографии;
- IBM: иммерсионные технологии только с 45-нм техпроцесса.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥