Новости Hardware

Двойное экспонирование – возможная основа 32-нм литографии

Японская корпорация Nikon анонсировала программу развития методов оптической литографии, направленную на технологический процесс с размером элементов 45 нм и менее. Потребность в развитии подобных методов диктуется постоянно переносимыми сроками внедрения вакуумной литографии, использующей в работе жесткое ультрафиолетовое излучение (EUV), которая, похоже, не успеет к массовому внедрению в производство 32-нм полупроводниковых продуктов. Программа проводится совместно с с французским исследовательским центром CEA-Leti, где будет установлен опытный сканер производства корпорации Nikon.
DE/DP в 32-нм техпроцессе
Целью программы является исследование возможностей литографии с двойным экспонированием и двойным шаблоном (double exposure and double patterning, DE/DP) в производстве 32-нм полупроводниковых схем. Напомним, что в основе DE/DP лежит вытравливание одного слоя фоторезиста с помощью последовательного применения двух фотомасок, формирующих смежные элементы. На представленном фото изображен образец 32-нм структур, полученных посредством DE/DP: более светлые элементы выполнены с помощью первого шаблона, более темные - с помощью второго. DE/DP включена в роадмап ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors - международный график выхода полупроводниковых продуктов) еще в 2006 году, как одно из основных решения на переходный период до внедрения вакуумной литографии, для производств полупроводниковых продуктов согласно норм 32-нм техпроцесса. Материалы по теме: - EUV развивается медленно, заявляет Intel;
- Суровое будущее литографии;
- Неопределенность в области 32-нм техпроцесса.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥