Новости Hardware

Ramtron выпускает модули FRAM

После нескольких лет обещаний американская компания Ramtron International Corp уже в ближайшее время собирается представить миру первые образцы модулей сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти с произвольным доступом к ячейкам (Ferroelectric Random Access non-volatile Memory, FRAM). Первыми увидят свет чипы FM22L16 с плотностью 4 Мбит, произведенные на мощностях Texas Instruments с применением норм 130-нм техпроцесса.
RAMTRON FM22L16
Напомним, что FRAM обладает специальным ферритовым слоем, позволяющим сохранять состоянием ячейки памяти после отключения электроэнергии. Однако в отличие от привычной нам энергонезависимой флэш-памяти (NAND, NOR) новая технология обеспечивает гораздо большие скорости чтения/записи и меньшее энергопотребление. Более того, согласно заявлению представителя компании, уже существующие линии по производству КМОП-модулей могут быть легко модернизированы для массового выпуска FRAM. Технические характеристики FM22L16:
  • Организация модуля: 256Kx16;
  • Количество циклов записи: 100 триллионов;
  • Среднее время доступа к ячейке: 55 нс, полный цикл 110 нс;
  • Скорость работ в страничном режиме: 40 МГц;
  • Корпусировка: 44-контактный TSOP II;
  • Рабочее напряжение питания: 2,7 – 3,6 В.
Предполагается, что первые поставки новых модулей начнутся в третьем квартале 2007 года, а старт массового производства намечен на начало четвертого квартала. Цена модуля составит $19 в партиях из 10000 штук. Материалы по теме: - Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри;
- Epson и Fujitsu завершили разработку FRAM;
- Новая технология FRAM-памяти от Fujitsu и Seiko Epson.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥