Новости Hardware

Прототип 8-нм флэш-модуля плотностью 1 Тбит

Как сообщает Korean Times, корейские ученые разработали первую в мире единичную ячейку флэш-памяти по 8-нм нормам. Группа исследователей работала под руководством профессора корейского передового института науки и технологий (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Чоя Ян-кью (Choi Yang-kyu). Он отметил, что успех был достигнут благодаря объединению нанотрубок и технологии SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon, кремний-окись-нитрид-окись-кремний). Ученым удалось создать прототип модуля памяти NAND-типа плотностью 1 Тбит, разместив структуру окись-нитрид-окись поверх кремниевых нанотрубок. Ячейки 8-нм памяти по габаритам в 5 раз меньше ячеек 40-нм чипов памяти компании Samsung Electronics. Как полагают ученые, после доведения разработки до логического завершения, на базе 8-нм технологии смогут создавать модули памяти вместимостью более 500 тыс. песен в формате MP3 или 1250 фильмов DVD-качества. Чой считает, что до получения полностью работоспособных чипов и внедрения технологии в производство может пройти около 10 лет. Детали разработки будут обсуждаться на международном симпозиуме Very-Large-Scale-Integration Technology, который стартует 12 июня в японском городе Киото (Kyoto). Материалы по теме: - Память следующего поколения на "скоростных" нанотрубках;
- Органическая память на золотых наночастицах;
- MRAM-память по-китайски;
- Улучшение флэш-технологии: способ Macronix.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥