Новости Hardware

Самые быстрые DDR SDRAM для мобильных систем от Hynix

Известный южнокорейский производитель памяти компания Hynix Semiconductor на днях объявила о завершении разработки самого быстрого модуля памяти с коррекцией ошибок, предназначенного для использования в мобильных компьютерах. Речь идет о 512-мегабитном модуле DDR SDRAM ECC, работающим на частоте 185 МГц с максимальной пропускной способностью в 1,5 Гб/с. Встроенный алгоритм коррекции ошибок аналогичен используемому в модулях NAND, что, согласно заявлению официального представителя компании, уменьшает энергопотребление модуля примерно на 50%.
Hynix Mobile SDRAM
Как особо подчеркивается в пресс-релизе, несмотря на повышенную частоту работы, модуль поддерживает все необходимые функции для построения системы с пониженным энергопотреблением такие как работа с пониженным напряжением питания, режимы авторегенерации ячеек, выполняющейся только при наличие данных в банках памяти (Partial Array Self Refresh, PASR) со скоростью зависящей от текущей температуры модуля (Temperature Compensated Self Refresh, TCSR), что очень важно для мобильных систем. Кроме того, в планах компании создание интегрированных DDR/NAND решений с использованием представленных 512-мегабитных ECC модулей. Как сообщается, чипы будут производиться согласно норм 80-нм технологического процесса. Первые тестовые образцы увидят свет в начале третьего квартала 2007 года. Старт массового производство намечен на вторую половину текущего года. Материалы по теме: - Hynix DDR 550 как альтернатива DDR II;
- Память DDR 560 уже в Японии!
- Hynix уделит больше внимания GDDR4.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥