Новости Hardware

TSMC: 45-нм производство уже в сентябре этого года

Тайваньская компания TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) тесно сотрудничает с многими производителями компьютерных комплектующих, вследствие чего её технологические новшества оказывают значительное влияние на ИТ-индустрию. К примеру, в марте компания NVIDIA с помощью TSMC выпустила первые в отрасли GPU с 65-нм памятью типа eDRAM, есть сведения о планах освоить к 2008 году массовое производство 55-нм видеочипов для все той же NVIDIA, через 2 года тайваньский производитель займется выпуском процессоров AMD Fusion, и этот список примеров сотрудничества с именитыми производителями можно продолжать еще долго. Очередное технологическое нововведение намечено на сентябрь этого года. К этому времени компания намерена выпустить первые пробные партии продуктов, созданных по 45-нм проектным нормам с использованием 193-нм иммерсионной фотолитографии, усовершенствованной технологии напряженного (или растянутого, strained silicon) кремния, материалов со сверхнизким значением диэлектрической постоянной (extreme low-k, ELK). Будет разработано два варианта производственного процесса: маломощный LP (low power) для портативных систем и GS (general purpose and high perfomance), ориентированный на высокопроизводительные системы и устройства общего назначения. Первым будет освоен LP. При переходе с 65- на 45-нм техпроцесс LP плотность размещения элементов на подложке кремния увеличится в два раза. При этом существенно понизится уровень потребления мощности микросхем, а также стоимость производства. Ожидаемый выигрыш в производительности – до 40%. Перечисленные преимущества особенно важны для производства однокристальных систем класса SoC (System-on-Chip), встраиваемых в мобильные телефоны, портативные медиаплееры, КПК и прочие карманные устройства. Вариант GS также предусматривает удвоение плотности размещения элементов. В пресс-релизе TSMC приводит конкретный числовой пример. 45-нм SRAM-память сможет вмещать более 500 млн. транзисторов на кристалле площадью 70 мм2. Скорость чипов по сравнению с предыдущим поколением увеличится примерно на 30% при той же мощности утечки. Микросхемы, произведенные с использованием этой разновидности техпроцесса, найдут применение в ПК, сетевом оборудовании, проводных коммуникациях. Материалы по теме: - NVIDIA и AMD могут удвоить заказы на TSMC;
- Philips продаcт свою долю в TSMC;
- TSMC склоняется к e-beam для перехода на 22 нм.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥