Новости Hardware

Fujitsu представила 2-мегабитные модули FRAM

Компания Fujitsu на днях объявила о начале производства двух новых модулей оперативной памяти типа FRAM (Ferroelectric Random Access Memory – сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом) емкостью 2 Мбит в конфигурации 256x8 (MB85R2001) и 128Кx16 (MB85R2002). Напомним, что FRAM является разновидностью энергонезависимой памяти, использующей для хранения данных сегнетоэлектрические компоненты (транзисторы и конденсаторы) обладающие переменными ферромагнитными свойствами. По основным техническим характеристикам: быстродействию, энергопотреблению и количеству циклов записи, модули FRAM намного опережают аналоги, построенные на базе флэш-памяти. Согласно заявлению представителей компании, модули FRAM, способны перенести 10 миллиардов циклов перезаписи и гарантируют сохранность данных в течение 10 лет. Рабочее напряжение новинок составляет 3,0 - 3,6 В, среднее время доступа к ячейке – 100 нс, продолжительность цикла записи/чтения – 150 нс. Основными областями применения новинок станет офисное оборудование, навигационные и измерительные приборы и многофункциональные принтеры - везде где понадобится оперативное изменения большого числа различных параметров и обеспечение их сохранности на длительный срок. Новые 2-мегабитные модули доступны для заказа со дня анонса по цене $16,91. Материалы по теме: - Ramtron выпускает модули FRAM;
- Epson и Fujitsu завершили разработку FRAM;
- Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥