Новости Hardware

Samsung на пути к созданию ОЗУ нового поколения

Одним из важнейших технологических достижений в полупроводниковой отрасли за последний месяц стала разработка компанией IBM методики так называемой “трехмерной” упаковки чипов , о которой мы недавно писали. Нечто подобное на днях анонсировала и компания Samsung Electronics. Как сообщается в пресс-релизе, Samsung разработала метод упаковки чипов памяти, используя технологию TSV (through silicon vias, внутрикремниевые межсоединения). По заявлению компании, это позволит существенно ускорить память, уменьшить энергопотребление и габариты микросхем. Новая упаковка называется WSP (wafer-level-processed stacked package). Она может вмещать четыре чипа DDR2 DRAM плотностью 512 Мбит (4 x 512 Мбит). Используя такие двухгигабитные структуры, Samsung может создать модули ОЗУ емкостью 4 Гб.
Samsung делает шаг к созданию ОЗУ нового поколения
Инновационный технологический метод Samsung устраняет необходимость в относительно длинных металлических проводниках, которые соединяют между собой традиционные “двухмерные” чипы и их составные элементы, заменяя эти проводники внутрикремниевыми соединениями. Межсоединения TSV представляют собой вертикальные каналы диаметром порядка единиц микрон, протравленные в кремниевой пластине с помощью лазера и заполненные проводником - медью. Такие внутрикремниевые соединения позволяют располагать кристаллы плотнее и создавать более тонкие упаковки. Межсоединения “through-silicon vias” покрыты алюминием, который играет роль экрана, в результате чего снижаются перекрестные помехи. Конкретные сроки внедрения новой разработки в массовое производство пока не называются. Материалы по теме: - Органическая память на золотых наночастицах;
- Память Chaintech APOGEE GT - находка для платформы AMD;
- IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥