Новости Hardware

Intel сертифицировала 50-нм DDR2-память Samsung

В октябре прошлого года мы сообщали о разработке компанией Samsung 50-нм технологического процесса для производства микросхем оперативной памяти типа DDR2 DRAM. На днях 50-нм гигабитные чипы южнокорейского производителя прошли сертификацию компании Intel, которая подтверждает совместимость с её современными чипсетами, а также продуктами следующего поколения (вероятно, речь о чипсетах семейства Intel 3 Series) при работе со скоростью 800 Мбит/с.
Intel сертифицировала 50-нм DDR2-память Samsung
Отмечается, что переход с 80-нм на 50-нм техпроцесс удвоит эффективность производства микросхем DDR2-памяти. В сравнении с 60-нм техпроцессом новая технология позволяет повысить продуктивность на 50%. Массовый выпуск DDR2-чипов по 50-нм техпроцессу стартует в первой половине 2008 года. Новая технология будет также внедрена в производство микросхем типа DDR3, GDDR4, GDDR5 и Mobile DRAM. Материалы по теме: - Samsung создала первый 50-нм чип DRAM;
- DDR3-память Hynix прошла сертификацию Intel;
- Samsung лидирует по числу сертифицированных DDR3-решений.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥