Новости Hardware

Hynix получила лицензию на Z-RAM у ISi

Компании Innovative Silicon (Isi), владеющая правами на технологию памяти высокой плотности Z-RAM, и Hynix Semiconductor подписали соглашение, в соответствии с которым Hynix получает возможность использовать технологию Z-RAM при разработке собственной памяти DRAM.
hynix_logo.png
Память DRAM, основанная на применении технологии Z-RAM позволяет использовать лишь один транзистор для организации ячейки памяти вместо стандартной конструкции: комбинации из нескольких транзисторов и емкостных элементов. Такое нововведение при производстве DRAM-памяти является первым фундаментальным улучшением этого типа памяти с момента его изобретения в 70-х годах прошлого века.
1_r.jpg
Технология Z-RAM изначально разрабатывалась в качестве встроенной памяти для микропроцессоров, чипсетов для мобильных устройств и других микросхем. Ранее, лицензию на технологию Z-RAM получила компания AMD. Это произошло в декабре 2005 года с целью использовать ее в будущих процессорных архитектурах. Представители компании ISi утверждают, что такая технология позволяет объединить скоростные преимущества SRAM-памяти и эффективное использование площади кристалла, характерное для DRAM-памяти. Таким образом, память, производимая с учетом технологии Z-RAM будет намного компактнее и дешевле в производстве. Тематические материалы: - Hynix анонсировала 1 Гбит "мобильный" чип DRAM;
- Hynix будет производить флэш-память по 57-нм техпроцессу;
- Hynix вступает в клуб "32-нм и менее".

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥