Новости Hardware

Intel обнародовала планы перехода на сложные полупроводники

Майк Мэйберри (Mike Mayberry), директор отдела Intel по компонентам, опубликовал на официальном сайте компании статью о недавних успехах в области исследований сложных полупроводников. Он отметил критическую важность таких элементов как галлий, мышьяк, индий и их антимонидов для будущих интегральных микросхем Intel.
Логотип Intel
Мэйберри отметил, что у Intel есть несколько исследовательских программ, направленных на возможность производства сложных полупроводников к середине следующего десятилетия. Это делает возможным смешанный подход, когда некоторые функции реализуются с помощью кремниевых элементов, а другие – на основе сложных полупроводниковых материалов. В статье также отмечены основные препятствия, стоящие на пути Intel к рассматриваемой технологии: нахождение подходящего high-k диэлектрика, построение составного p-канального МОП-прибора, сравнимого по производительности с n-канальными МОП-приборами, а также разработка геометрии, позволяющей достичь качества исполнения, сравнимого с современными кремниевыми транзисторами. В заключение Мэйберри поделился информацией о том, что готовит Intel к декабрьской конференции IEDM. По его словам, это будет отчет о результатах разработки сложных полупроводников на основе индия и кремния. Материалы по теме: - Intel обнародует результаты исследований в области многопоточности;
- Приготовления Intel к выходу процессоров Barcelona;
- AMD и Intel устроят "горячий" сентябрь.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥