Новости Hardware

Toshiba за импринт-литографию для 22-нм техпроцесса

Американский производитель литографического оборудования Molecular Imprints Inc. (MII) объявила на днях, что японская корпорация Toshiba Semiconductor одобрила использование импринт-литографии ("печатной" литографии) для производства КМОП-микросхем согласно нормам 22-нм технологического процесса.
Molecular Imprints Inc.
Используя литографический инструмент MII Imprio 250, специалисты из японской компании сумели нанести на кремниевую подложку 18-нм изолированные элементы и рисунок с плотно расположенными 24-нм элементами. Критический допуск на размер элементов (critical dimension uniformity, CDU) составлял менее 1 нм, размытие края рисунка (line edge roughness, LER) не превышало 2 нм. Предъявленные образцы демонстрировали уровень дефективности (defectivity level) равный 0,3 повреждения на см2, что приближается к таковому для иммерсионной литографии. Степень перекрытия элементов (device overlay) также находилась в пределах, допускаемых техническими стандартами. Согласно утверждению генерального директора MII Марка Меллиар-Смит (Mark Melliar-Smith), продемонстрированные образцы с 18- и 24-нанометровыми элементами свидетельствуют не об ограничениях метода, а только о качестве шаблонов, к которым на данный момент имеют доступ инженеры Toshiba. В лабораторных условиях импринт-сканеры оказывались способными создавать элементы толщиной до 5 нм, т.е. уже практически за гранью применимости самой концепции КМОП. Образно говоря, импринт-литография является "последним методом", вершащим целую эпоху производства больших интегральных схем. Здесь необходимо отметить, что, несмотря на пафосные заявления, большинство производителей полупроводниковых микросхем не рассматривают импринт-литографию в качестве основного метода производства чипов с элементами менее 32 нм. Технологически, главным фаворитом гонки "22 нанометра и менее" является литография с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV, вакуумная литография). Однако ввиду постоянных отсрочек появления коммерческих аппаратов для EUV-литографии, производители, возможно, предпочтут использование современных 193-нм иммерсионных сканеров с применением комплексных методов получения изображения, например двойного экспонирования, для 32-нм технологического процесса. Дальнейшее направление литографического развития остается пока неопределенным. Материалы по теме: - Путь Toshiba: EUV-литография и 450-мм производство;
- Термохимическая нанолитография – основа 12-нм техпроцесса?
- Нанопечатная литография подешевела.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥