Новости Hardware

Новая технология FRAM-памяти от Fujitsu и Seiko Epson

Компании Fujitsu Ltd и Seiko Epson объявили о соглашении по совместной разработке новой технологии для ферроэлектрической RAM-памяти (Ferroelectric Random Access Memory (FRAM). Ожидается, что размер ячейки будет в шесть раз меньше обычного FRAM элемента, а завершение разработки технологии планируется в первой половине 2006 года. Кроме того, Fujitsu и Epson планируют разработку технологии обработки ядра памяти, которая будет иметь минимальные ограничения на число циклов записи/считывания.

Память FRAM будет использоваться в бесконтактных чипкартах, беспроводных тегах, автомобильных микрокомпьютерах и других устройствах. Для новой памяти Seiko Epson разработала специальный материал, который содержит чередующиеся участки соединения титана и ниобия для улучшения способности хранения данных и повышения усталостных свойств по сравнению с обычными FRAM. Это также позволит воплотить архитектуру «Crosspoint». Тематические материалы в статьях:

- Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400;
- Как делают модули памяти: на примере GEIL;
- Технологии модулей памяти: TCP, EPOC и FEMMA.
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥