Новости Hardware

Samsung начала выпуск 4 Гбит флэш по 70-нм технологии

Samsung приступила к массовому производству 4 Гбит чипов NAND флэш-памяти, используя 70-нм техпроцесс и 300 мм пластины. Новые устройства позволят увеличить плотность компоновки, что особенно важно для мобильных приложений, а также будут способствовать снижению цен. По данным Samsung, ей пока что удается ежегодно удваивать максимальную емкость чипов NAND флэш-памяти: 256 Мбит в 1999 г., 512 Мбит в 2000 г., 1 Гбит в 2001 г., 2 Гбит в 2002 г., 4 Гбит в 2003 г. и 8 Гбит в 2004 г.

Использование 70 нм техпроцесса позволило Samsung сократить площадь одной ячейки памяти до 0,025 мкм.кв. Одной из важнейших составляющих нового техпроцесса стало применение аргон-флюоридного источника света в фотолитографическом процессе. По скоростным характеристикам на запись 70 нм NAND флэш-память показывает на 50% лучший результат, чем 90 нм 2 Гбит чипы – около 16 МБ/с, что, например, позволяет в режиме реального времени сохранять видеопоток высокого разрешения (HD). По прогнозу Gartner Dataquest, доля 4 Гбит чипов памяти к концу года достигнет 30% при общем ожидаемом объеме рынка $8 млрд.

Тематические материалы в статьях:

- Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400;
- Память Corsair DDR2-675 XMS2.
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥