Новости Hardware

Трехмерная память от Matrix

Matrix Semiconductor представила третье поколение своих разработок по организации трехмерных массивов одноразово программируемой памяти, получившее название Trinity. Основное преимущество, которое было реализовано – большая плотность, увеличенная до 23% по сравнению с предыдущими реализациями, достигнутая за счет применения двух оригинальных особенностей архитектуры, «segmented wordline» и «hybrid scaling». В результате удалось отказаться от традиционного размещения массивов ячеек памяти на подложке в «шахматном порядке» и «спрятать» вертикальные связующие линии внутрь расположенных друг над другом массивов. Теперь на подложке площадью 31 мм.кв. стало возможным изготавливать модули емкостью до 1 Гбит. Разработка этой архитектуры позволила Matrix получить на нее около сотни патентов, связанных с деталями ее реализации.

архитектура Trinity

Представитель компании, рассказывая о Trinity, провел аналогию со строительством небоскребов, которое становится выгодным при высоких ценах на земельные участки. За счет трехмерной архитектуры Matrix удается, применяя 0,15 мкм CMOS-технологию для изготовления «обвязки» и 130-нм CMOS-технологию для модулей памяти, реализовывать 1 Гбит модуль на подложке, занимающей всего четверть площади, требуемой для построения флэш-памяти такой же емкости, изготавливаемой по 90-нм технологии с применением традиционной архитектуры. В ближайших планах компании – дальнейшее уплотнение модулей за счет применения 140-нм CMOS-технологии для изготовления «обвязки» и 90-нм CMOS-технологии для изготовления массивов ячеек памяти.

Тематические материалы в статьях:

- Как делают модули памяти: на примере GEIL;
- Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри.
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥