Новости Hardware

4Гбит OneNAND флэш-память Samsung

Samsung Electronics представила микросхемы флэш-памяти плотностью 4Гбит, выполненные по технологии OneNAND. В дальнейшем новые чипы памяти планируется использовать в мобильных телефонах и прочих портативных "девайсах". Необходимое для работы OneNAND напряжение питания составляет 1,8В, что почти вдвое ниже существующей флэш-памяти (3,3В).

Samsung 4Гбит OneNAND

В одном корпусе QDP (Quad Die Package) содержится четыре 1Гбит микросхемы изготовленные по 90-нм техпроцессу. Толщина чипа памяти составляет 1,4 мм, ширина 13 мм и длина 11 мм. Заявленная производителем скорость чтения достигает 108Мб/сек, а записи - 10Мб/сек. В пресс-релизе также указано, что серийный выпуск 4Гбит OneNAND начнется в июле текущего года.

Тематические материалы в статьях:

- Память Corsair DDR2-538 XMS2 (3-3-3-8);
- Процессор Cell: шаг в будущее.
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥