Новости Hardware

Битва чипмейкеров за освоение 22-нм техпроцесса

Несмотря на то, что многие скептики уже довольно давно предрекают смерть закону Мура – миниатюризация не может продолжаться бесконечно, и такими темпами, которые выдерживаются сегодня – пока закон, сформулированный около полувека назад, все еще справедлив. Очередным этапом, позволяющим говорить о том, что и в ближайшие несколько лет электроника будет развиваться по намеченному сценарию, является освоение новейшей технологии изготовления интегральных микросхем с проектной нормой 22 нанометра.
22-нм IBM
Сегодня можно выделить сразу несколько «центров» развития технологии изготовления новейших полупроводниковых приборов. Первым является компания IBM, с которой сотрудничают AMD и Freescale Semiconductor. Именно им к этому моменту удалось создать микросхему статической памяти (SRAM), изготовленную по 22-нм техпроцессу. В данном случае ячейка памяти состоит из шести транзисторов с минимальной шириной затвора 22 нм. Расстояние между двумя соседними транзисторами при этом составляет 90 нм. Эти цифры, по заверениям инженеров, на текущий момент являются рекордно низкими, а как следствие, рекордно низкой оказывается и площадь ячейки статической памяти – всего лишь 0,09 кв. мкм. К сожалению, пока характеристики получаемых устройств не позволяют начать коммерческое применение технологии, в частности, говорится об очень низкой производительности. Однако на данном этапе исследований инженеры не применяли целый ряд технологий, например, технологию напряженного кремния, что дает возможность для дальнейшей оптимизации микросхем.
22-нм Intel
Вторым центром развития полупроводниковой индустрии является компания Intel, которая первой выпустила на мировой рынок 45-нм интегральные микросхемы, и, без сомнения, первой совершит переход на 32-нм техпроцесс. Впрочем, ведущий мировой чипмейкер с уверенностью смотрит в будущее – сотрудники компании ведут активную разработку технологии изготовления 22-нм микросхем. При этом, основные параметры, такие как ширина затвора транзисторов и расстояние между ними, точно соответствуют параметрам, достигнутым инженерами IBM, AMD и Freescale Semiconductor. С недавних пор к IBM с ее партнерами и компании Intel присоединилась и тайваньская компания TSMC, также намеревающаяся стать одним из лидеров в области разработки новейших технологий изготовления полупроводниковых устройств. Пару лет назад представители тайваньского чипмейкера во всеуслышание объявили о разработке 32-нм техпроцесса, причем без применения таких новшеств, как higk-k-диэлектрики и металлический затвор. Впрочем, недавно TSMC заявила о «пропуске» этого этапа своего развития, и перехода сразу к 28-нм техпроцессу. По всей видимости, TSMC уже создала первый прототип 28-нм статической памяти – применительно к ним приводятся следующие сведения: ширина затвора составляет 24 нм, но при этом рабочие токи выше, нежели для 32-нм устройств Intel. В октябре 2008 года компания заявила, что планирует начать серийный выпуск новейших микросхем уже в третьем квартале 2010 года. То есть на доработку технологии у инженеров остается около полутора лет. Материалы по теме: - Официально о 32-нм процессорах Intel семейства Westmere;
- Intel готова потратить $7 млрд на новые фабрики;
- Cell для PS3 переводят на 45-нм техпроцесс.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥