Новости Hardware

GlobalFoundries осваивает 22-нм техпроцесс

Образованная всего лишь несколько месяцев назад компания GlobalFoundries Inc. начинает наращивать темпы своего развития – в ходе выставки Computex 2009 были показаны образцы кремниевых пластин со сформированной структурой 45-нм, 32-нм и даже 28-нм интегральных микросхем; на прошлой неделе компания заявила о начале строительства второго производственного комплекса Fab2, расположенного близ Нью-Йорка. И вот теперь новая информация о достижениях компании GlobalFoundries, на этот раз связанных с разработкой технологии изготовления интегральных микросхем. Справедливости ради отметим, что представленная ниже технология является результатом совместной работы специалистов и GlobalFoundries, и компании IBM. О своих достижениях исследователи рассказали публике в ходе доклада, прочитанного на симпозиуме 2009 Symposium on VLSI Technology. Главной темой выступления стала технология, позволяющая формировать структуру транзисторов интегральных микросхем, изготовленных по 22-нм техпроцессу. Стоит отметить, что разработчики продолжают практику применения higk-k-диэлектриков и металлического затвора для создания транзисторов с требуемым набором свойств. Главный акцент сделан на снижении эквивалентной толщины оксида (equivalent oxide thickness - EOT), играющего роль диэлектрика в полевых транзисторах типа MOSFET. Разработчикам удалось снизить этот параметр до следующих значений: 0,55 нанометров в случае MOSFET-транзисторов с n-типа, и 0,7 нанометров в случае MOSFET-транзисторов p-типа. В результате наблюдается заметное улучшение вольтамперных характеристик транзисторов.
Вольтамперные кривые
Влияние толщины EOT на характеристики транзисторов
Так почему же такое значительное внимание уделяется именно толщине слоя диэлектрика? На данный момент подавляющее большинство производителей интегральных микросхем продолжают применение higk-k-диэлектриков и металлического затвора для формирования полевых транзисторов. Но для того, чтобы продолжать миниатюризацию микросхем, переходя на использование все более точных техпроцессов, крайне необходимо снижать такой параметр, как EOT, и здесь большинство исследователей сталкиваются со значительными трудностями. Сотрудникам GlobalFoundries и IBM удалось решить проблему благодаря применению новейшего материала, очищающего переходные слои диэлектрик-полупроводник и диэлектрик-металл от кислорода, и, тем самым, позволяя формировать более тонкую структуру полевых транзисторов. К сожалению, разработчики не стали раскрывать информацию о свойствах нового материала – пока эти сведения необходимо держать в секрете, чтобы сохранить преимущество перед конкурентами.
Структура FET
Разработка специалистов GlobalFoundries и IBM позволит инженерам не только осваивать 22-нм техпроцесс, но и более прецизионные технологии изготовления интегральных микросхем. Разработчики сообщают, что те же принципы лягут в основу и 16-нм технологии. Материалы по теме: - Globalfoundries начинает строительство фабрики в Нью-Йорке;
- IT-Байки: Электроника-2020 – жизнь после смерти кремния;
- Битва чипмейкеров за освоение 22-нм техпроцесса.

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥