Новости Hardware

4-гигабитные микросхемы DDR-памяти Hynix для интернет-планшетов

Тайваньская компания Hynix Semiconductor сообщила о разработке интегральных микросхем оперативной памяти, предназначенных специально для работы с портативными MID-аппаратами, в частности, основанными на платформе Intel Moorestown. В данном случае речь идет о микрочипах памяти DDR SDRAM информационной емкостью 4 Гбит. Пока устройства находятся на стадии подготовки серийного производства, старт которого запланирован на третий квартал 2009 года.
Hynix
Максимальная скорость передачи данных составляет 400 Мбит в секунду, что в купе с 32-разрядным интерфейсом ввода-вывода позволяет обрабатывать до 1,6 Гб информации в секунду. Полупроводниковые устройства полностью соответствуют спецификациям JEDEC. При разработке микросхем памяти исследователи поставили перед собой цель не только добиться достаточно высокой производительности, но и получить в итоге экономичные устройства, что является одним из основных условий, предъявляемых к памяти для портативных аппаратов. Разработчики сообщают, что микросхемы памяти будут поставляться на рынок в двух вариантах - как в MCP-, так и PDP-корпусах. Материалы по теме: - Hynix начала тесты модулей 8 Гб 2-Rank DDR3 R-DIMM ;
- КМОП-сенсоры Hynix появятся в телефонах Samsung и LG;
- Потребительская корзина – рынок оперативной памяти.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥