UMC рассказала о планах по освоению 14-нм FinFET техпроцесса

Контрактный производитель United Microelectronics (UMC), по словам исполнительного директора Шина-Вея Сана (Shih-Wei Sun), собирается активно осваивать 14-нм производственные нормы, использующие технологию FinFET (так называемые 3D-транзисторы). Господин Сан подчёркивает, что использование FinFET обязательно для производителей чипов, чтобы «Закон Мура» продолжал работать.

Также глава UMC отмечает, что переход на новый техпроцесс должен приносить 25-процентный прирост производительности и уменьшать примерно на столько же стоимость отдельного транзистора — при таких показателях он будет окупаться. Но переход на 20-нм нормы с 28-нм приводит к тому, что стоимость оборудования для двойного литографического формирования рисунка растёт, а производительность может быть улучшена лишь на 15%. Переход на 3D-транзисторы поможет добиться более впечатляющего соотношения производительности и стоимости.

Шин-Вей Сан отмечает, что UMC приняла решение агрессивно разрабатывать 14-нм FinFET техпроцесс, который позволит добиться оптимальной энергоэффективности и производительности, способных компенсировать затраты, связанные с переходом на технологию двойного литографического формирования рисунка.

Одновременно господин Сан сказал, что компания уже довела до стадии tape out первые мобильные 28-нм HKMG чипы, а массовое производство намечено на начало следующего года. Новых данных по прогнозам продаж 28-нм и 20-нм чипов компания не сообщает. Ранее UMC планировала довести доходы от 28-нм производства к концу 2012 года до 5% от всего объёма поступлений, а производство 20-нм чипов мелкими партиями начать во второй половине 2013 года.

Материалы по теме:

• TSMC построит пилотную линию для 450-мм пластин и 7-нм норм;
• Тестовый 16-нм FinFET чип TSMC на ядре ARM V8: уже в 2013 году;
• Intel полагает, что через 10 лет «закон Мура» может утратить силу;
• Intel: 14-нм техпроцесс будет готов для массового производства к концу 2013 года;
• ARM и Globalfoundries разработают 20-нм чипы с транзисторами типа FinFET.

Источники:

• digitimes.com