Micron предложила гибридные DRAM-модули

Микросхемы оперативной памяти в SSD-диски уже встраивают. А что будет, если сделать наоборот — оснастить ОЗУ флеш-чипами? Компания Micron Technology работает как раз в этом направлении и планирует создать так называемые гибридные DIMM-модули, которые смогут иметь ёмкость более 256 Гбайт. Особенностью этих устройств является использование NAND-чипов наряду с DRAM-памятью в формате DIMM, а также обмен данными с помощью DDR4.

Гибридные DIMM-модули будут дороже обычных SSD-накопителей. Но их производительность окажется на порядок выше, уверена Micron. Если в типичных флеш-дисках скорость доступа исчисляется микросекундами, то в модулям NAND-DRAM этот показатель уже будет измеряться наносекундами. Пока не ясно, смогут ли эти гибридные модули стать заменой традиционной оперативной памяти или же их роль сведётся только к высокопроизводительным твердотельным накопителям.

Структура устройства включает, помимо самих микросхем памяти NAND и DRAM, контроллер флеш-памяти и HDIMM-контроллер, который выступает основным интерфейсом между модулем и процессором.

По данным источников, важным толчком для развития новинки должна стать поддержка со стороны Microsoft. На протяжении последнего полугодия она провела с Micron множество встреч, в которых обговаривалась новая технология и возможность её интеграции в Windows-системы. Но это всего лишь слухи и официальная информация пока не поступала. В любом случае Micron также работает над внедрением поддержки гибридных модулей в Linux. Она надеется выпустить соответствующее программное обеспечение как раз к массовому появлению на рынке DDR4.

Материалы по теме:

• Мобильные чипы займут 30% производства оперативной памяти в 2013 году;
• Что нужно знать об SSD сегодня и чего ждать от HDD завтра;
• IC Insights: рынок флеш-памяти впервые обойдёт DRAM по итогам этого года.

Источник:

• EE Times