Новости Hardware

Подробности о 14-нанометровой платформе Intel Skylake

В 2014–2015 гг. на смену нынешней аппаратной платформе Intel Haswell придёт Broadwell, предусматривающая переход от 22-х к 14-нанометровой технологии производства. Такой же техпроцесс будет применяться при изготовлении процессоров следующего поколения Skylake.

Сообщается, что чипы поколения Skylake получат значительно усовершенствованный графический контроллер. Платформа обеспечит поддержку оперативной памяти DDR4, которая отличается от предыдущих поколений повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Пропускная способность DDR4 достигает 34,1 Гбайт/c.

Для платформы Skylake предусмотрена поддержка интерфейса PCI Express 4.0. Он обладает скоростью передачи данных до 16 GT/s (Гигатранзакций/с), что вдвое больше по сравнению с PCI Express 3.0.

Наконец, Skylake обеспечит возможность использования интерфейса SATA Express с пропускной способностью до 16 Гбит/с против 6 Гбит/с у SATA 3.0.

Процессоры поколения Skylake могут появиться в конце 2015 года.

Материалы по теме:

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
LG Display столкнулась со слабым спросом на OLED-телевизоры, но ожидает его восстановления в 2023 году 2 ч.
США впервые выделили бюджетные деньги на частные термоядерные реакторы — это должно взбодрить инвесторов 2 ч.
Презентация флагманов Xiaomi 12T и Xiaomi 12T Pro может состояться 4 октября 2 ч.
Представлен обновлённый электрический хэтчбек Peugeot e-208 с запасом хода в 400 км 2 ч.
Дефицит чипов наконец закончился — рост выручки крупнейших производителей замедлился 3 ч.
Европа хочет заставить Netflix и YouTube вкладываться в модернизацию сетей связи 3 ч.
ИИ на порядки упростил решение задач квантовой физики, но учёные пока не понимают как 3 ч.
Мобильные 14-ядерные Core i9-13900HK и Core i7-13700H отметились в Geekbench — флагман показал 5,3 ГГц 3 ч.
Лунную ракету NASA SLS снова увезли со стартовой площадки в ангар — ей угрожал надвигающийся ураган 4 ч.
NVIDIA готовит ускоритель вычислений H100 PCIe со 120 Гбайт памяти HBM2e 6 ч.